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1. WO2020129725 - ハロゲンフッ化物によるエッチング方法、半導体の製造方法

公開番号 WO/2020/129725
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/048054
国際出願日 09.12.2019
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人
  • 昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 鈴木 淳 SUZUKI Atsushi
代理人
  • 特許業務法人SSINPAT SSINPAT PATENT FIRM
優先権情報
2018-23951521.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ETCHING METHOD USING HALOGEN FLUORIDE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE UTILISANT DU FLUORURE D'HALOGÈNE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ハロゲンフッ化物によるエッチング方法、半導体の製造方法
要約
(EN)
[Problem] The present invention relates to a method for precision plasma etching of a micropattern on a silicon substrate having a silicon or a silicon oxide film. [Solution] In this etching method for plasma etching a silicon substrate having a silicon or a silicon oxide film, a halogen fluoride having a nitrogen (N2) content of 1 vol% or less is used as the etching gas.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de gravure au plasma de précision d'un micromotif sur un substrat de silicium ayant un film d'oxyde de silicium ou de silicium. Dans ce procédé de gravure pour gravure au plasma d'un substrat de silicium ayant un film d'oxyde de silicium ou de silicium, un fluorure d'halogène ayant une teneur en azote (N2) de 1 % en volume ou moins est utilisé en tant que gaz de gravure.
(JA)
[課題]シリコンまたはシリコン酸化膜を有するシリコン基板に微細なパターンを精度よくプラズマエッチングする方法に関する。 シリコンまたはシリコン酸化膜を有するシリコン基板を、窒素(N2)含有量が1体積%以下のハロゲンフッ化物をエッチングガスとしてプラズマエッチングするエッチング方法。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報