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1. WO2020129714 - 基板処理装置、および基板処理方法

公開番号 WO/2020/129714
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047908
国際出願日 06.12.2019
IPC
B24B 7/00 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
7平担なガラス面の研磨を含む工作物の平面を研削するために設計された機械または装置;そのための附属装置
B24B 41/06 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
41フレーム,ベッド,往復台,主軸台,などの研削機械または装置の構成部分
06工作物支持具,例.調節可能な支持台
B24B 49/02 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
49研削工具または工作物の送り運動を制御するための計測装置;指示または計測装置の構成,例.研削開始を指示するもの
02連続的または間欠的に測定される工作物の実寸法および必要寸法に応じて制御するもの
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 福永 信貴 FUKUNAGA, Nobutaka
  • 鎗光 正和 YARIMITSU, Masakazu
  • 藤井 克久 FUJII, Katsuhisa
  • 龍 秀二郎 RYU, Hidejiro
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2018-23769019.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置、および基板処理方法
要約
(EN)
Provided is a substrate processing apparatus comprising: a rotary table that delivers a plurality of respective substrate chucks, in the following order, to a loading position where a substrate is loaded, a processing position where the substrate is thinned, and an unloading position where the substrate is unloaded; an inclination angle adjustment unit that adjusts an inclination angle of the substrate chuck with respect to the rotary table at the processing position; a processing unit that thins the substrate at the processing position; a plate thickness measurement unit that measures, at a plurality of radial points of the substrate, the plate thickness of the substrate thinned by the processing unit; and an inclination angle control unit that controls the inclination angle adjustment unit on the basis of the measurement result of the plate thickness measurement unit, wherein the plate thickness measurement unit measures the plate thickness of the substrate at the unloading position.
(FR)
L'invention concerne un appareil de traitement de substrat comprenant : une table rotative qui délivre une pluralité de mandrins de substrat respectifs, dans l'ordre suivant, à une position de chargement à laquelle un substrat est chargé, une position de traitement à laquelle le substrat est aminci, et une position de déchargement à laquelle le substrat est déchargé ; une unité de réglage d'angle d'inclinaison qui règle un angle d'inclinaison du mandrin de substrat par rapport à la table rotative à la position de traitement ; une unité de traitement qui amincit le substrat à la position de traitement ; une unité de mesure d'épaisseur de plaque qui mesure, à une pluralité de points radiaux du substrat, l'épaisseur de plaque du substrat aminci par l'unité de traitement ; et une unité de commande d'angle d'inclinaison qui commande l'unité de réglage d'angle d'inclinaison sur la base du résultat de mesure de l'unité de mesure d'épaisseur de plaque, l'unité de mesure d'épaisseur de plaque mesurant l'épaisseur de plaque du substrat à la position de déchargement.
(JA)
複数の基板チャックのそれぞれを、基板の搬入が行われる搬入位置と、前記基板の薄化が行われる加工位置と、前記基板の搬出が行われる搬出位置とにこの順番で送る回転テーブルと、前記加工位置での前記基板チャックの前記回転テーブルに対する傾斜角度を調整する傾斜角度調整部と、前記加工位置で前記基板を薄化する加工部と、前記加工部で薄化された前記基板の板厚を、前記基板の径方向複数点で測定する板厚測定部と、前記板厚測定部の測定結果に基づき、前記傾斜角度調整部を制御する傾斜角度制御部とを備え、前記板厚測定部は、前記基板の板厚測定を前記搬出位置で行う、基板処理装置。
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