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1. WO2020129712 - 撮像装置

公開番号 WO/2020/129712
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047885
国際出願日 06.12.2019
IPC
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/3205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H01L 23/532 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
532材料に特徴のあるもの
H01L 27/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 馬場 公一 BABA, Koichi
代理人
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
優先権情報
2018-23817920.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像装置
要約
(EN)
An imaging device according to one embodiment of the present disclosure is provided with: a first substrate that has a sensor pixel, which performs photoelectric conversion, on a first semiconductor substrate; a second substrate that is superposed on the first substrate, while having a read circuit, which outputs a pixel signal based on a charge output from the sensor pixel, on a second semiconductor substrate; and a first hydrogen diffusion prevention layer which is arranged between the first semiconductor substrate and the second semiconductor substrate.
(FR)
Un dispositif d'imagerie selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un premier substrat qui a un pixel de capteur, qui effectue une conversion photoélectrique, sur un premier substrat semi-conducteur ; un second substrat qui est superposé sur le premier substrat, tout en ayant un circuit de lecture, qui délivre un signal de pixel sur la base d'une sortie de charge provenant du pixel de capteur, sur un second substrat semi-conducteur ; et une première couche de prévention de diffusion d'hydrogène qui est disposée entre le premier substrat semi-conducteur et le second substrat semi-conducteur.
(JA)
本開示の一実施形態の撮像装置は、第1半導体基板に、光電変換を行うセンサ画素を有する第1基板と、第2半導体基板に、センサ画素から出力された電荷に基づく画素信号を出力する読み出し回路を有すると共に、第1基板に積層された第2基板と、第1半導体基板と第2半導体基板との間に設けられた第1水素拡散防止層とを備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報