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1. WO2020129694 - 撮像素子および撮像装置

公開番号 WO/2020/129694
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047778
国際出願日 06.12.2019
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 21/8234 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
H01L 27/088 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
081種類の半導体構成部品だけを含むもの
085電界効果構成部品のみを含むもの
088構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
H01L 29/423 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
40電極
41その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの
423整流,増幅またはスイッチされる電流を流さないもの
H01L 29/49 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
40電極
43構成材料に特徴のあるもの
49金属-絶縁半導体電極
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 君塚 直彦 KIMIZUKA Naohiko
代理人
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
  • 三浦 勇介 MIURA Yusuke
優先権情報
2018-23962321.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像素子および撮像装置
要約
(EN)
The present disclosure relates to an imaging element and an imaging device with which it is possible to inhibit a decrease in image quality. In a pixel unit of the imaging element, a selecting transistor comprising a multigate transistor and an amplifying transistor are provided. For example, the selecting transistor and the amplifying transistor are both FinFETs having a fin-shaped silicon channel. For example, the gates of the selecting transistor and the amplifying transistor are formed in the same fin-shaped silicon channel. Further, for example, ions having a thermal diffusion coefficient smaller than those of boron and phosphor are injected into the silicon channel of the selecting transistor. Further, for example, the gate electrodes of the selecting transistor and the amplifying transistor are made of material with mutually different work functions. The present disclosure is applicable to an imaging element, an imaging device, and an information processing device, for example.
(FR)
La présente invention se rapporte à un élément d'imagerie et à un dispositif d'imagerie permettant d'inhiber une baisse de la qualité d'image. Dans une unité de pixel de l'élément d'imagerie, un transistor de sélection comprenant un transistor à grilles multiples et un transistor d'amplification sont prévus. Par exemple, le transistor de sélection et le transistor d'amplification sont tous deux des transistors FinFET comportant un canal de silicium en forme d'ailette. Par exemple, les grilles du transistor de sélection et du transistor d'amplification sont formées dans le même canal de silicium en forme d'ailette. En outre, par exemple, des ions présentant un coefficient de diffusion thermique inférieur à celui du bore et du phosphore sont injectés dans le canal de silicium du transistor de sélection. En outre, par exemple, les électrodes de grille du transistor de sélection et du transistor d'amplification sont constituées d'un matériau présentant des potentiels d'extraction différents les uns des autres. La présente invention peut être appliquée à un élément d'imagerie, à un dispositif d'imagerie et à un dispositif de traitement d'informations, par exemple.
(JA)
本開示は、画質の低減を抑制することができるようにする撮像素子および撮像装置に関する。 撮像素子の画素単位において、マルチゲートトランジスタからなる選択トランジスタおよび増幅トランジスタを設ける。例えば、その選択トランジスタおよび増幅トランジスタをともにフィン形状のシリコンチャネルを有するFinFETとする。また、例えば、選択トランジスタおよび増幅トランジスタのゲートが、同一のフィン形状のシリコンチャネルに形成されるようにする。さらに、例えば、選択トランジスタのシリコンチャネルには、ボロンやリンよりも熱拡散係数の小さいイオンが注入されるようにする。また、例えば、選択トランジスタおよび増幅トランジスタのゲート電極には、仕事関数が互いに異なる材料を用いるようにする。本開示は、例えば、撮像素子、撮像装置、または画像処理装置等に適用することができる。
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