処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020129686 - 裏面照射型の固体撮像装置、および裏面照射型の固体撮像装置の製造方法、撮像装置、並びに電子機器

公開番号 WO/2020/129686
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047762
国際出願日 06.12.2019
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 駒井 尚紀 KOMAI Naoki
  • 吉岡 浩孝 YOSHIOKA Hirotaka
  • 脇山 悟 WAKIYAMA Satoru
  • 山本 雄一 YAMAMOTO Yuichi
  • 高地 泰三 TAKACHI Taizo
代理人
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
  • 三浦 勇介 MIURA Yusuke
優先権情報
2018-23819120.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) BACKSIDE–ILLUMINATED SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING BACKSIDE-IILLUMINATED SOLID-STATE IMAGING DEVICE, IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR À RÉTROÉCLAIRAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR À RÉTROÉCLAIRAGE ET ÉQUIPEMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 裏面照射型の固体撮像装置、および裏面照射型の固体撮像装置の製造方法、撮像装置、並びに電子機器
要約
(EN)
The present disclosure pertains to a backside–illuminated solid-state imaging device (1), a method for manufacturing a backside–illuminated solid-state imaging device, an imaging device (501), and electronic equipment which enable a reduction in manufacturing cost. A memory circuit (121) and a logic circuit (122) that have been singulated are laid out in the horizontal direction, embedded in an oxide film (133) and planarized, and laminated so as to be enclosed in the plane direction under a solid-state imaging element (120). The present disclosure can be applied to an imaging device.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteur à rétroéclairage (1), un procédé de fabrication d'un dispositif d'imagerie à semi-conducteur à rétroéclairage, un dispositif d'imagerie (501) et un équipement électronique qui permettent une réduction du coût de fabrication. Un circuit de mémoire (121) et un circuit logique (122), qui ont été individualisés, sont disposés horizontalement, incorporés dans un film d'oxyde (133) et planarisés, et stratifiés de manière à être renfermés dans la direction plane sous un élément d'imagerie à semi-conducteur (120). La présente invention peut être appliquée à un dispositif d'imagerie.
(JA)
本開示は、製造コストを低減できるようにする裏面照射型の固体撮像装置(1)、および裏面照射型の固体撮像装置の製造方法、撮像装置(501)、並びに電子機器に関する。 個片化されたメモリ回路(121)およびロジック回路(122)を水平方向にレイアウトし、酸化膜(133)により埋め込んで平坦化した上で、固体撮像素子(120)の下で平面方向に内包するように積層する。本開示は、撮像装置に適用することができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報