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1. WO2020129683 - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

公開番号 WO/2020/129683
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047718
国際出願日 05.12.2019
IPC
C08F 12/24 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
12ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少なくとも1つが芳香族炭素環によって停止されている化合物の単独重合体または共重合体
021個の不飽和脂肪族基を含有する単量体
041個の環を含有するもの
14異種原子または異種原子含有基で置換されたもの
22酸素
24フェノールまたはアルコール
C08F 20/10 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
20ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物,その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの単独重合体または共重合体
029個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10エステル
C08F 20/58 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
20ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物,その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの単独重合体または共重合体
029個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
52アミドまたはイミド
54アミド
58カルボンアミド酸素以外に酸素を含有するもの
C08F 28/02 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
28ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少なくとも1つがいおうに対する結合またはいおう含有複素環によって停止されている化合物の単独重合体または共重合体
02いおうに対する結合によって停止されている単量体
G03F 7/004 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
G03F 7/038 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
038不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 浅川 大輔 ASAKAWA Daisuke
  • 川島 敬史 KAWASHIMA Takashi
  • 後藤 研由 GOTO Akiyoshi
  • 白川 三千紘 SHIRAKAWA Michihiro
  • 山本 慶 YAMAMOTO Kei
代理人
  • 特許業務法人航栄特許事務所 KOH-EI PATENT FIRM, P.C.
優先権情報
2018-23996021.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ACTINIC-RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, METHOD FOR FORMING PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
要約
(EN)
The present invention provides: an actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising a resin having a repeating unit represented by general formula (P1) and a compound which, upon irradiation with actinic rays or radiation, generates an acid having a pKa of -1.40 or greater; a resist film obtained from the composition; a method for forming a pattern; and a method for producing an electronic device. Mp represents a single bond or a divalent linking group. Lp represents a divalent linking group. Xp represents O, S, or NRN1, where RN1 represents a monovalent organic group. Rp represents a monovalent organic group.
(FR)
La présente invention concerne : une composition de résine sensible aux rayons actiniques ou sensible aux rayonnements comprenant une résine ayant une unité de répétition représentée par la formule générale (P1) et un composé qui, lors d'une irradiation par des rayons actiniques ou un rayonnement, génère un acide ayant un pKa de -1,40 ou plus ; un film de réserve obtenu à partir de la composition ; un procédé de formation d'un motif ; et un procédé de production d'un dispositif électronique. Mp représente une liaison simple ou un groupe de liaison divalent. Lp représente un groupe de liaison divalent. Xp représente un O, un S ou NRN1, où RN1 représente un groupe organique monovalent. Rp représente un groupe organique monovalent.
(JA)
本発明により、一般式(P1)で表される繰り返し単位を有する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により、pKaが-1.40以上の酸を発生する化合物とを含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法が提供される。Mは、単結合又は2価の連結基を表す。 Lは、2価の連結基を表す。 Xは、O、S、又はNRN1を表す。RN1は1価の有機基を表す。 Rは、1価の有機基を表す。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報