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1. WO2020129648 - アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法

公開番号 WO/2020/129648
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047440
国際出願日 04.12.2019
IPC
H01L 31/107 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
107電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード
出願人
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 山田 友輝 YAMADA, Yuki
  • 中島 史人 NAKAJIMA, Fumito
代理人
  • 山川 茂樹 YAMAKAWA, Shigeki
  • 小池 勇三 KOIKE, Yuzo
  • 山川 政樹 YAMAKAWA, Masaki
  • 本山 泰 MOTOYAMA, Yasushi
優先権情報
2018-23702919.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) AVALANCHE PHOTODIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) PHOTODIODE À AVALANCHE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法
要約
(EN)
Provided are a substrate (101), an n-type contact layer (102), a buffer layer (103), a multiplication layer (105), an electric field control layer (106), an absorbing layer (107), and a p-type contact layer (108). The buffer layer (103) comprises an electrically conductive layer (104) formed in the central portion thereof. The substrate (101) comprises a semiconductor such as SiC having a higher thermal conductivity than InP. The n-type contact layer (102) comprises the same semiconductor as the semiconductor of the substrate (101) and is formed to be n-type.
(FR)
L'invention concerne un substrat (101), une couche de contact du type n (102), une couche tampon (103), une couche de multiplication (105), une couche de commande de champ électrique (106), une couche absorbante (107) et une couche de contact du type p (108). La couche tampon (103) comprend une couche électroconductrice (104) formée dans sa partie centrale. Le substrat (101) comprend un semi-conducteur tel que du SiC dont la conductivité thermique est supérieure à celle de l'InP. La couche de contact du type n (102) renferme le même semi-conducteur que celui du substrat (101) et est formée de façon à être du type n.
(JA)
基板(101)、n型コンタクト層(102)、バッファ層(103)、増倍層(105)、電界制御層(106)、吸収層(107)、およびp型コンタクト層(108)を備える。バッファ層(103)の中央部には、導電層(104)が形成されている。基板(101)は、SiCなどのInPより高い熱伝導率を有する半導体から構成され、n型コンタクト層(102)は、基板(101)と同一の半導体から構成され、n型とされている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報