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1. WO2020129639 - シリコンウェーハの極低酸素濃度測定方法

公開番号 WO/2020/129639
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047366
国際出願日 04.12.2019
IPC
G01N 21/3563 2014.01
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21光学的手段,すなわち,赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
17調査される材料の特性に応じて入射光が変調されるシステム
25色;スペクトル特性,すなわち2またはそれ以上の波長あるいは波長帯において材料が光に与える効果の比較
31特定の元素または分子を特徴づける波長における材料の相対的効果の調査,例.原子吸光分光
35赤外光を用いるもの
3563固体分析のためのもの;そのための試料調整
H01L 21/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
出願人
  • グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 GLOBALWAFERS JAPAN CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 斉藤 広幸 SAITO Hiroyuki
代理人
  • 木下 茂 KINOSHITA Shigeru
優先権情報
2018-23561317.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MEASURING ULTRA-LOW OXYGEN CONCENTRATION IN SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DE LA CONCENTRATION D'OXYGÈNE ULTRA-FAIBLE DANS UNE TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの極低酸素濃度測定方法
要約
(EN)
Provided is a method for measuring interstitial oxygen concentration in a silicon wafer easily and with good sensitivity using FT-IR. The present invention provides a method for measuring an ultra-low oxygen concentration of less than 1.0×1016 atoms/cm3 in a single-crystal silicon wafer, the method having: a step 1 for forming a SiO2 film, a nitride film, or a PE film having a predetermined thickness on each of a measurement wafer, an interstitial-oxygen-free reference wafer, and a standard wafer having a known interstitial oxygen concentration; a step 2 for measuring the IR spectrum of the measurement wafer, the reference wafer, and the standard wafer obtained in step 1; a step 3 for determining a difference spectrum (transmission spectrum) from the IR spectrum of the measurement wafer and the IR spectrum of the reference wafer, and determining the intensity of an absorption peak corresponding to interstitial oxygen; and a step 4 for comparing the peak intensity of said interstitial oxygen and the peak intensity of interstitial oxygen in the IR spectrum of the standard wafer, and calculating the interstitial oxygen concentration in the measurement wafer from the ratio with respect to the interstitial oxygen concentration of the standard wafer.
(FR)
L'invention concerne un procédé de mesure de la concentration d'oxygène interstitiel dans une tranche de Silicium effectué de manière aisée et avec une bonne sensibilité au moyen de FT-IR. La présente invention concerne un procédé de mesure d'une concentration d'oxygène ultra-faible inférieure à 1.0×1016 atomes/cm3 dans une tranche de silicium monocristallin, le procédé comprenant: une étape 1 de formation d'un film de SiO2, d'un film de nitrure, ou d'un film PE ayant une épaisseur prédéterminée sur chacune des tranches suivantes telles qu'une tranche de mesure, une tranche de référence exempte d'oxygène interstitiel, et une tranche standard ayant une concentration en oxygène interstitiel connue; une étape 2 de mesure du spectre IR de la tranche de mesure, de la tranche de référence, et de la tranche standard obtenues à l'étape 1; une étape 3 de détermination d'un spectre de différence (spectre de transmission) à partir du spectre IR de la tranche de mesure et du spectre IR de la tranche de référence, et la détermination de l'intensité d'un pic d'absorption correspondant à l'oxygène interstitiel; et une étape 4 de comparaison de l'intensité de pic dudit oxygène interstitiel et l'intensité de pic d'oxygène interstitiel dans le spectre IR de la tranche standard, et le calcule de la concentration en oxygène interstitiel dans la tranche de mesure à partir du rapport relativement à la concentration en oxygène interstitiel de la tranche standard.
(JA)
FT-IRを用いて、簡便に感度良く、シリコンウェーハ中の格子間酸素濃度を測定する方法を提供する。測定ウェーハ、格子間酸素フリーのリファレンスウェーハ、及び格子間酸素濃度既知の標準ウェーハに各々、所定厚みのSiO2膜、窒化膜又はPE膜を形成する工程1と、工程1で得られた、測定ウェーハ、リファレンスウェーハ及び標準ウェーハのIRスペクトルを測定する工程2と、測定ウェーハのIRスペクトルとリファレンスウェーハのIRスペクトルとから差スペクトル(透過スペクトル)を求め、格子間酸素に対応する吸収ピークの強度を求める工程3と、該格子間酸素のピーク強度と標準ウェーハのIRスペクトルの格子間酸素のピーク強度とを対比して、標準ウェーハの格子間酸素濃度との比から測定ウェーハ中の格子間酸素濃度を算出する工程4とを有する、単結晶シリコンウェーハ中の1.0×1016atoms/cm3未満の極低酸素濃度の測定方法。
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