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1. WO2020129628 - カーボンハードマスク、成膜装置、および成膜方法

公開番号 WO/2020/129628
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047328
国際出願日 04.12.2019
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H01L 21/314 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
C23C 16/26 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
26炭素のみの析出
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • 国立大学法人東海国立大学機構 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKAI NATIONAL HIGHER EDUCATION AND RESEARCH SYSTEM [JP]/[JP]
発明者
  • 堀 勝 HORI, Masaru
  • 関根 誠 SEKINE, Makoto
  • 杉浦 啓嗣 SUGIURA, Hirotsugu
  • 守屋 剛 MORIYA, Tsuyoshi
  • 田中 諭志 TANAKA, Satoshi
  • 森貞 佳紀 MORISADA, Yoshinori
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-23600918.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CARBON HARD MASK, FILM FORMING DEVICE, AND FILM FORMING METHOD
(FR) MASQUE DUR EN CARBONE, DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) カーボンハードマスク、成膜装置、および成膜方法
要約
(EN)
According to one embodiment of this invention, a carbon hard mask for layering on a film to be etched contains a methylene group CH2 and a methyl group CH3 at a concentration ratio satisfying the formula CH2/(CH2 + CH3) ≥ 0.5.
(FR)
Selon un mode de réalisation de la présente invention, un masque dur en carbone pour la stratification sur un film à graver contient un groupe méthylène CH2 et un groupe méthyle CH3 à un rapport de concentration satisfaisant la formule CH2/(CH2 + CH3) ≥ 0,5.
(JA)
被エッチング膜上に積層されるカーボンハードマスクは、一つの実施形態において、カーボンハードマスクに含まれるメチレン基CH2およびメチル基CH3の濃度比が、下記の式を満たす。 CH2/(CH2+CH3)≧0.5
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