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1. WO2020129625 - 酸化ガリウム膜の製造方法

公開番号 WO/2020/129625
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047268
国際出願日 03.12.2019
IPC
H01L 21/365 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
365固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/368 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
368液相成長を用いるもの
C23C 16/40 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40酸化物
C23C 16/448 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
448反応性ガス流を発生させるために用いる方法に特徴があるもの,例.先行する材料の蒸発または昇華によるもの
出願人
  • 信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 渡部 武紀 WATABE Takenori
  • 橋上 洋 HASHIGAMI Hiroshi
代理人
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio
  • 小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro
優先権情報
2018-23603018.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM OXIDE FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM D'OXYDE DE GALLIUM
(JA) 酸化ガリウム膜の製造方法
要約
(EN)
The present invention is a method for manufacturing a gallium oxide film, in which a mist produced by nebulization or droplet formation of a raw material liquid is conveyed using a carrier gas, and the mist is heated to undergo a thermal reaction so as to form a film on a substrate, wherein a raw material liquid that includes at least chloride ions and gallium ions is used as the raw material liquid, and the duration of heating of the mist is 0.002–6 seconds. Due to this configuration, provided is a method for manufacturing an α-gallium oxide film that achieves outstanding film formation speed at low cost.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un film d'oxyde de gallium, dans lequel une brume produite par nébulisation ou formation de gouttelettes d'un liquide de matière première est transportée à l'aide d'un gaz vecteur, et la brume est chauffée pour subir une réaction thermique de façon à former un film sur un substrat, un liquide de matière première qui comprend au moins des ions chlorure et des ions gallium étant utilisé en tant que liquide de matière première, et la durée de chauffage de la brume étant de 0,002 à 6 secondes. Grâce à cette configuration, l'invention concerne un procédé de fabrication d'un film d'oxyde d'α-gallium qui atteint une vitesse de formation de film remarquable à faible coût.
(JA)
本発明は、原料溶液を霧化又は液滴化して生成されたミストを、キャリアガスを用いて搬送し、前記ミストを加熱して、基体上で前記ミストを熱反応させて成膜を行う酸化ガリウム膜の製造方法であって、前記原料溶液として少なくとも塩化物イオンとガリウムイオンを含む原料溶液を用い、前記ミストを加熱する時間を0.002秒以上6秒以下とする酸化ガリウム膜の製造方法である。これにより、低コストで成膜速度に優れたα-酸化ガリウム膜の製造方法が提供される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報