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1. WO2020129609 - 半導体装置、および半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/129609
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047161
国際出願日 03.12.2019
IPC
H01L 23/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
出願人
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 富士 和則 FUJI Kazunori
代理人
  • 吉田 稔 YOSHIDA Minoru
  • 臼井 尚 USUI Takashi
優先権情報
2018-23607918.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、および半導体装置の製造方法
要約
(EN)
A semiconductor device comprising a first insulating layer, a plurality of first wirings, a semiconductor element, and a sealing resin. The first insulating layer has a first surface and a second surface that face opposite directions in the thickness direction. Each of the plurality of first wirings has: a first embedded section having at least part thereof embedded in the first insulating layer; and a first rewiring section arranged on the second surface and connected to the first embedded section. The semiconductor element has a plurality of electrodes that are provided in the vicinity of the first surface and are connected to at least part of the first embedded section in the plurality of first wirings. The semiconductor element is in contact with the first surface. The sealing resin covers part of the semiconductor element and is in contact with the first surface. When viewed along the thickness direction, the first rewiring section in the plurality of first wirings includes a section positioned further on the outside than the semiconductor element. The first insulating layer has a plurality of first grooves that are recessed from the second surface in the thickness direction. The first rewiring section in the plurality of first wirings is in contact with the plurality of first grooves.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend une première couche isolante, une pluralité de premiers câblages, un élément à semi-conducteur et une résine d'étanchéité. La première couche isolante présente une première surface et une seconde surface qui sont orientées dans des sens contraires dans la direction de l'épaisseur. La pluralité de premiers câblages comportent chacun : une première section noyée dont au moins une partie est noyée dans la première couche isolante; et une première section de recâblage agencée sur la seconde surface et connectée à la première section noyée. L'élément à semi-conducteur comporte une pluralité d'électrodes qui sont disposées au voisinage de la première surface et sont connectées à au moins une partie de la première section noyée de la pluralité de premiers câblages. L'élément à semi-conducteur est en contact avec la première surface. La résine d'étanchéité recouvre une partie de l'élément à semi-conducteur et est en contact avec la première surface. Vue dans la direction de l'épaisseur, la première section de recâblage de la pluralité de premiers câblages comprend une section positionnée plus à l'extérieur que l'élément à semi-conducteur. La première couche isolante comporte une pluralité de premières rainures qui sont en retrait par rapport à la seconde surface dans la direction de l'épaisseur. La première section de recâblage de la pluralité de premiers câblages est en contact avec la pluralité de premières rainures.
(JA)
半導体装置は、第1絶縁層、複数の第1配線、半導体素子および封止樹脂を備える。前記第1絶縁層は、その厚さ方向において互いに反対側を向く第1面および第2面を有する。前記複数の第1配線の各々は、前記第1絶縁層に少なくとも一部が埋め込まれた第1埋込部と、前記第2面に配置され、かつ前記第1埋込部につながる第1再配線部と、を有する。前記半導体素子は、前記第1面の近傍に設けられ、かつ前記複数の第1配線の前記第1埋込部の少なくとも一部につながる複数の電極を有する。前記半導体素子は、前記第1面に接している。前記封止樹脂は、前記半導体素子の一部を覆うとともに、前記第1面に接している。前記厚さ方向に沿って視て、前記複数の第1配線の前記第1再配線部は、前記半導体素子よりも外方に位置する部分を含む。前記第1絶縁層は、前記第2面から前記厚さ方向に向けて凹む複数の第1溝を有する。前記複数の第1配線の前記第1再配線部は、前記複数の第1溝に接している。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報