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1. WO2020129601 - レーザアニール方法およびレーザアニール装置

公開番号 WO/2020/129601
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047137
国際出願日 03.12.2019
IPC
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H01L 21/268 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
263高エネルギーの輻射線を有するもの
268電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
出願人
  • 株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 水村 通伸 MIZUMURA, Michinobu
代理人
  • 特許業務法人日誠国際特許事務所 NISSAY INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-23745719.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LASER ANNEALING METHOD AND LASER ANNEALING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE RECUIT AU LASER ET APPAREIL DE RECUIT AU LASER
(JA) レーザアニール方法およびレーザアニール装置
要約
(EN)
A laser annealing method comprises: a seed crystal region formation step for performing first irradiation by irradiating the surface of an amorphous silicon film with a first laser beam spot formed by a first laser beam in a wavelength range that is absorbed by amorphous silicon and melting the amorphous silicon to form a seed crystal region; and a modified region formation step for performing second irradiation by irradiating a region adjacent to the first laser beam spot with a second laser beam spot formed by a second laser beam in a wavelength range that is absorbed by the molten silicon after the silicon in the seed crystal region has been melted by performing the first irradiation, and growing crystallized silicon in a modified region continuous with the seed crystal region starting from the seed crystal region.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de recuit au laser comprenant : une étape consistant à former une région de germe cristallin pour effectuer une première irradiation en irradiant la surface d'un film de silicium amorphe avec un premier point de faisceau laser formé par un premier faisceau laser dans une plage de longueurs d'onde qui est absorbée par du silicium amorphe et en faisant fondre le silicium amorphe pour former une région de germe cristallin ; et une étape consistant à former une région modifiée pour effectuer une seconde irradiation en irradiant une région adjacente au premier point de faisceau laser avec un second point de faisceau laser formé par un second faisceau laser dans une plage de longueurs d'onde qui est absorbée par le silicium fondu après que le silicium dans la région de germe cristallin a été fondu en effectuant la première irradiation, et faire croître le silicium cristallisé dans une région modifiée continue avec la région de germe cristallin à partir de la région de germe cristallin.
(JA)
非晶質シリコン膜の表面に、非晶質シリコンに吸収される波長域の第1レーザ光でなる第1レーザビームスポットを照射して、非晶質シリコンを溶融させる第1照射を行って種結晶領域を形成する種結晶領域形成工程と、前記種結晶領域に前記第1照射を行ってシリコンを溶融させた状態で、溶融されたシリコンに吸収される波長域の第2レーザ光でなる第2レーザビームスポットを、前記第1レーザスポットと隣接する領域に照射する第2照射を行い、前記種結晶領域を起点として当該種結晶領域と連続する改質領域の結晶化シリコンを成長させる改質領域形成工程と、を備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報