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1. WO2020129600 - レーザアニール方法および薄膜トランジスタの製造方法

公開番号 WO/2020/129600
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047135
国際出願日 03.12.2019
IPC
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H01L 21/268 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
263高エネルギーの輻射線を有するもの
268電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
出願人
  • 株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 水村 通伸 MIZUMURA, Michinobu
代理人
  • 特許業務法人日誠国際特許事務所 NISSAY INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-23639818.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LASER ANNEAL METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE RECUIT AU LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À FILM MINCE
(JA) レーザアニール方法および薄膜トランジスタの製造方法
要約
(EN)
Provided is a laser anneal method for reforming a reformation-planned region, in which reformation of an amorphous silicon film is to be performed, into a crystallized silicon film by irradiating the reformation-planned region with laser light, the laser anneal method comprising a first irradiating step for performing first laser light irradiation for forming a seed crystal region comprising microcrystalline silicon in the amorphous silicon film outside the reformation-planned region, and a second irradiating step in which a surface of the amorphous silicon film is irradiated with second laser light starting from the seed crystal region, thereby causing crystal growth so that the amorphous silicon film in the reformation-planned region becomes the crystallized silicon film.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de recuit au laser pour reformer une région de reformation planifiée, dans laquelle la reformation d'un film de silicium amorphe doit être effectuée, dans un film de silicium cristallisé par irradiation de la région de reformation planifiée avec une lumière laser, le procédé de recuit au laser comprenant une première étape d'irradiation consistant à réaliser une première irradiation avec une lumière laser pour former une région de germe cristallin comprenant du silicium microcristallin dans le film de silicium amorphe à l'extérieur de la région de reformation planifiée, et une seconde étape d'irradiation consistant à irradier une surface du film de silicium amorphe avec une seconde lumière laser à partir de la région de germe cristallin, provoquant ainsi un développement de cristal de telle sorte que le film de silicium amorphe dans la région de reformation planifiée devient le film de silicium cristallisé.
(JA)
非晶質シリコン膜の改質を行う改質予定領域にレーザ光を照射して前記改質予定領域を結晶化シリコン膜に改質させるレーザアニール方法であって、前記改質予定領域の外側の前記非晶質シリコン膜に微結晶シリコンでなる種結晶領域を形成する第1のレーザ光の照射を行う第1照射工程と、前記種結晶領域を起点として、前記非晶質シリコン膜の表面に第2のレーザ光の照射を行って前記改質予定領域内の前記非晶質シリコン膜が前記結晶化シリコン膜になるように結晶成長させる第2照射工程と、を備える。
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