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1. WO2020129585 - 半導体レーザ

公開番号 WO/2020/129585
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046964
国際出願日 02.12.2019
IPC
H01S 5/125 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
10光共振器の構造または形状
12周期構造を有する共振器,例.分布帰還型レーザにおけるもの
125分布反射型レーザ[7]
出願人
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 菅野 絵理奈 KANNO, Erina
  • 武田 浩司 TAKEDA, Koji
  • 硴塚 孝明 KAKITSUKA, Takaaki
  • 松尾 慎治 MATSUO, Shinji
代理人
  • 山川 茂樹 YAMAKAWA, Shigeki
  • 小池 勇三 KOIKE, Yuzo
  • 山川 政樹 YAMAKAWA, Masaki
  • 本山 泰 MOTOYAMA, Yasushi
優先権情報
2018-23520917.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ
要約
(EN)
This semiconductor laser is provided with an active region (131), and a first distributed Bragg reflection mirror region (132a) and a second distributed Bragg reflection mirror region (132b) each arranged contiguously to the active region (131). The first distributed Bragg reflection mirror region (132a) is formed contiguously to one side of the active region (131) in a waveguide direction and provided with a first diffraction grating (121). The second distributed Bragg reflection mirror region (132b) is formed contiguously to the other side of the active region (131) in the waveguide direction and provided with a second diffraction grating (122). The first diffraction grating (121) is constituted of recesses, which are formed penetrating through a diffraction grating layer (123) formed in the first distributed Bragg reflection mirror region (132a), and projections adjacent to the recesses. The diffraction grating layer (123) is made of a dielectric.
(FR)
Le laser à semi-conducteur de la présente invention est pourvu d'une région active (131), et d'une première région de miroir de réflexion de Bragg distribuée (132a) et d'une seconde région de miroir de réflexion de Bragg distribuée (132b), chacune étant disposée de manière contiguë à la région active (131). La première région de miroir de réflexion de Bragg distribuée (132a) est formée de manière contiguë à un côté de la région active (131) dans une direction de guide d'onde et est pourvue d'un premier réseau de diffraction (121). La seconde région de miroir de réflexion de Bragg distribuée (132b) est formée de manière contiguë à l'autre côté de la région active (131) dans la direction de guide d'onde et est pourvue d'un second réseau de diffraction (122). Le premier réseau de diffraction (121) est constitué d'évidements, qui sont formés de façon à pénétrer à travers une couche de réseau de diffraction (123) formée dans la première région de miroir de réflexion de Bragg distribuée (132a), et des saillies adjacentes aux évidements. La couche de réseau de diffraction (123) est constituée d'un diélectrique.
(JA)
活性領域(131)と、活性領域(131)に連続して配置された第1分布ブラッグ反射鏡領域(132a),第2分布ブラッグ反射鏡領域(132b)とを備える。第1分布ブラッグ反射鏡領域(132a)は、導波方向に活性領域(131)の一方に連続して形成されて第1回折格子(121)を備える。第2分布ブラッグ反射鏡領域(132b)は、導波方向に活性領域(131)の他方に連続して形成されて第2回折格子(122)を備える。第1回折格子(121)は、第1分布ブラッグ反射鏡領域(132a)に形成された回折格子層(123)を貫通して形成された凹部および凹部に隣接する凸部から構成されている。回折格子層(123)は、誘電体から構成されている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報