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1. WO2020129571 - 半導体装置及びその製造方法、並びに電子機器

公開番号 WO/2020/129571
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046711
国際出願日 29.11.2019
IPC
H01L 29/78 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 21/8238 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8238相補型電界効果トランジスタ,例.CMOS
H01L 27/092 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
081種類の半導体構成部品だけを含むもの
085電界効果構成部品のみを含むもの
088構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
092相補型MIS電界効果トランジスタ
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 富田 一行 TOMIDA, Kazuyuki
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-23815820.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置及びその製造方法、並びに電子機器
要約
(EN)
This semiconductor device includes a channel part and a gate electrode which is provided on a side opposite the channel part via a gate insulating film, and the gate insulating film includes a first portion that has a first transition metal oxide, and a second portion that has a second transition metal oxide and a cationic species and has a cationic species concentration that is different from that of the first portion.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant une partie de canal et une électrode de grille qui est disposée sur un côté opposé à la partie de canal par l'intermédiaire d'un film d'isolation de grille, et le film d'isolation de grille comprend une première partie qui a un premier oxyde de métal de transition, et une seconde partie qui a un second oxyde de métal de transition et une espèce cationique et a une concentration en espèce cationique qui est différente de celle de la première partie.
(JA)
チャネル部と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル部と反対側に設けられたゲート電極と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、第一の遷移金属酸化物を有する第一の部分、および第二の遷移金属酸化物と陽イオン種を有し前記第一の部分と前記陽イオン種の濃度が異なる第二の部分を有する、半導体装置。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報