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1. WO2020129569 - レーザ加工方法、半導体部材製造方法、及び半導体対象物

公開番号 WO/2020/129569
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046656
国際出願日 28.11.2019
IPC
B28D 5/00 2006.01
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
B23K 26/53 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 国立大学法人東海国立大学機構 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKAI NATIONAL HIGHER EDUCATION AND RESEARCH SYSTEM [JP]/[JP]
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 田中 敦之 TANAKA Atsushi
  • 笹岡 千秋 SASAOKA Chiaki
  • 天野 浩 AMANO Hiroshi
  • 河口 大祐 KAWAGUCHI Daisuke
  • 和仁 陽太郎 WANI Yotaro
  • 伊ケ崎 泰則 IGASAKI Yasunori
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2018-23990921.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LASER MACHINING METHOD, SEMICONDUCTOR MEMBER PRODUCTION METHOD, AND SEMICONDUCTOR OBJECT
(FR) PROCÉDÉ D'USINAGE AU LASER, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, ET OBJET SEMI-CONDUCTEUR
(JA) レーザ加工方法、半導体部材製造方法、及び半導体対象物
要約
(EN)
A laser machining method that comprises a first step in which laser light is shined into a semiconductor object from the surface of the semiconductor object to form a modified region inside the semiconductor object along a virtual plane that faces the surface of the semiconductor object, the modified region including: a plurality of modified spots; a plurality of fissures that respectively extend from the plurality of modified spots; and gas. During the first step, a peripheral region that does not have modified spots formed therein and that blocks the advancement of the fissures from the modified region toward the outer surface of the semiconductor object is provided to the semiconductor object so as to surround the modified region.
(FR)
L'invention concerne un procédé d'usinage au laser comprenant une première étape dans laquelle une lumière laser est projetée dans un objet semi-conducteur à partir de la surface de l'objet semi-conducteur pour former une région modifiée à l'intérieur de l'objet semi-conducteur le long d'un plan virtuel qui fait face à la surface de l'objet semi-conducteur, la région modifiée comprenant : une pluralité de points modifiés ; une pluralité de fissures qui s'étendent respectivement à partir de la pluralité de points modifiés ; et du gaz. Pendant la première étape, une région périphérique dans laquelle aucun point modifié n'est formé et qui bloque l'avancement des fissures de la région modifiée vers la surface externe de l'objet semi-conducteur est fournie à l'objet semi-conducteur de façon à entourer la région modifiée.
(JA)
レーザ加工方法は、半導体対象物の表面から半導体対象物の内部にレーザ光を入射させることにより、半導体対象物の内部において、複数の改質スポットと複数の改質スポットからそれぞれ延びる複数の亀裂とガスとを含む改質領域を、表面に対向する仮想面に沿って形成する第1工程を備える。第1工程では、改質スポットが形成されていない領域であって当該改質領域から半導体対象物の外面への亀裂の進展を阻む周縁領域を、当該改質領域を囲うように半導体対象物に設ける。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報