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1. WO2020129562 - レーザアニール装置

公開番号 WO/2020/129562
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046434
国際出願日 27.11.2019
IPC
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H01L 21/268 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
263高エネルギーの輻射線を有するもの
268電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
出願人
  • 株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 水村 通伸 MIZUMURA, Michinobu
代理人
  • 特許業務法人日誠国際特許事務所 NISSAY INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-23639718.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LASER ANNEALING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE RECUIT AU LASER
(JA) レーザアニール装置
要約
(EN)
A laser annealing apparatus that irradiates a region to be modified, in which modification of an amorphous silicon film is to be performed, with a laser beam to perform the modification by growing a crystallized silicon film in the region to be modified, the apparatus comprising a first irradiation unit for radiating a first laser beam that forms a seed crystal region on the amorphous silicon film, and a second irradiation unit that moves a beam spot of the laser beam radiated onto the surface of the amorphous silicon film starting from the seed crystal region so as to cover the region to be modified and performs the modification so that the amorphous silicon film in the region to be modified becomes the crystallized silicon film.
(FR)
L'invention concerne un appareil de recuit au laser qui expose une région à modifier à un rayonnement, dans laquelle il convient d'effectuer une modification d'un film de silicium amorphe au moyen d'un faisceau laser pour effectuer la modification par croissance d'un film de silicium cristallisé dans la région à modifier, l'appareil comprenant une première unité d'exposition à un rayonnement servant à appliquer un rayonnement d'un premier faisceau laser qui forme une région de germe cristallin sur le film de silicium amorphe, et une seconde unité d'exposition à un rayonnement qui déplace un point de faisceau du faisceau laser d'exposition sur la surface du film de silicium amorphe en partant de la région de germe cristallin de façon à recouvrir la région à modifier et qui effectue la modification de sorte que le film de silicium amorphe dans la région à modifier se transforme en le film de silicium cristallisé.
(JA)
非晶質シリコン膜の改質を行う改質予定領域にレーザ光を照射して前記改質予定領域を結晶化シリコン膜に成長させて改質を行うレーザアニール装置であって、前記非晶質シリコン膜に種結晶領域を形成する第1のレーザ光の照射を行う第1の照射部と、前記種結晶領域を起点として、前記非晶質シリコン膜の表面に照射するレーザ光のビームスポットを、前記改質予定領域内を網羅するように移動させて、前記改質予定領域内の前記非晶質シリコン膜が前記結晶化シリコン膜になるように改質させる第2のレーザ光の照射を行う第2の照射部と、を備える。
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