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1. WO2020129552 - 半導体基板の製造方法

公開番号 WO/2020/129552
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046154
国際出願日 26.11.2019
IPC
G03F 7/023 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
022キノンジアジド
023高分子キノンジアジド;高分子添加剤,例.結合剤
G03F 7/42 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
42剥離又はそのための処理剤
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 増島 正宏 MASUJIMA Masahiro
  • 平野 勲 HIRANO lsao
代理人
  • 正林 真之 SHOBAYASHI Masayuki
  • 林 一好 HAYASHI Kazuyoshi
優先権情報
2018-23959321.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板の製造方法
要約
(EN)
Provided is a method for producing a semiconductor substrate which is formed using an organopolysiloxane-containing composition and which is capable of easily reducing residue of an ion injection mask. This method comprises: a mask formation step for forming a mask on a to-be-processed semiconductor substrate using an energy-sensitive composition containing an organopolysiloxane; an ion injection step for injecting ions to the to-be-processed semiconductor substrate equipped with the mask; and a mask removal step for removing the mask. The mask removal step has: a first step for bringing the mask into contact with a first processing liquid containing an oxidant and/or irradiating the mask with a plasma generated using an oxygen-containing gas; and a second step for bringing the mask having undergone the first step into contact with a second processing liquid containing fluoride ions.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d'un substrat semi-conducteur qui est formé à l'aide d'une composition contenant un organopolysiloxane et qui permet de facilement réduire les résidus d'un masque d'injection d'ions. Ce procédé comprend : une étape de formation de masque servant à former un masque sur un substrat semi-conducteur à traiter à l'aide d'une composition sensible à l'énergie contenant un organopolysiloxane ; une étape d'injection d'ions servant à injecter des ions sur le substrat semi-conducteur à traiter équipé du masque ; et une étape d'élimination de masque servant à retirer le masque. L'étape d'élimination de masque comprend : une première étape consistant à mettre le masque en contact avec un premier liquide de traitement contenant un oxydant et/ou à irradier le masque avec un plasma généré à l'aide d'un gaz contenant de l'oxygène ; et une seconde étape consistant à mettre le masque ayant subi la première étape en contact avec un second liquide de traitement contenant des ions fluorure.
(JA)
オルガノポリシロキサンを含有する組成物を用いて形成された、イオン注入のマスクの残渣を簡易に低減できる半導体基板の製造方法を提供すること。 被処理半導体基板上に、オルガノポリシロキサンを含む感エネルギー性組成物を用いてマスクを形成するマスク形成工程と、マスクを備える被処理半導体基板に対してイオン注入を行うイオン注入工程と、マスクを除去するマスク除去工程と、を含み、マスク除去工程は、マスクと、酸化剤を含む第1処理液との接触と、マスクに対する、酸素含有ガスを用いて生成させたプラズマの照射との少なくとも一方を行う第1工程と、第1工程後のマスクに、フッ化物イオンを含む第2処理液を接触させる第2工程と、を有する。
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