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1. WO2020129540 - 窒化物半導体ウェーハの製造方法および窒化物半導体ウェーハ

公開番号 WO/2020/129540
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045893
国際出願日 25.11.2019
IPC
C30B 23/06 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
23蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長
02エピタキシャル層成長
06成膜室,基板または被蒸発物質の加熱
C30B 25/18 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
18基板によって特徴づけられたもの
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C30B 29/38 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
C23C 16/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34窒化物
出願人
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 土屋 慶太郎 TSUCHIYA Keitarou
  • 篠宮 勝 SHINOMIYA Masaru
  • 鈴木 由佳里 SUZUKI Yukari
代理人
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio
  • 小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro
優先権情報
2018-23587917.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER AND NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体ウェーハの製造方法および窒化物半導体ウェーハ
要約
(EN)
The present invention is a method for manufacturing a nitride semiconductor wafer by growing a nitride semiconductor thin film by vapor-phase growth above a silicon single-crystal substrate, wherein a silicon single-crystal substrate with a nitrogen concentration of at least 5 × 1014 atoms/cm3 and a resistivity of at least 1000 Ω·cm is used as the silicon single-crystal substrate. Due to this configuration, provided is the method for manufacturing a nitride semiconductor wafer that makes it possible to suppress warpage defects and bonding defects due to plastic deformation during manufacture of the nitride semiconductor wafer.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche de semi-conducteur au nitrure par croissance d'un film mince semi-conducteur au nitrure par croissance en phase vapeur au-dessus d'un substrat monocristallin de silicium, un substrat monocristallin de silicium ayant une concentration d'azote d'au moins 5 × 1014 atomes/cm3 et une résistivité d'au moins 1 000 Ω·cm étant utilisé en tant que substrat monocristallin de silicium. Grâce à cette configuration, l'invention décrit le procédé de fabrication d'une tranche de semi-conducteur au nitrure qui permet de supprimer les défauts de gauchissement et les défauts de liaison dus à une déformation plastique pendant la fabrication de la tranche de semi-conducteur au nitrure.
(JA)
本発明は、シリコン単結晶基板より上に気相成長により窒化物半導体薄膜を成長させる窒化物半導体ウェーハの製造方法であって、前記シリコン単結晶基板として、窒素濃度が5×1014atoms/cm以上であり、抵抗率が1000Ω・cm以上のシリコン単結晶基板を用いる窒化物半導体ウェーハの製造方法である。これにより、窒化物半導体ウェーハ製造時の塑性変形による反り不良、接合不良を抑制できる窒化物半導体ウェーハの製造方法が提供される。
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