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1. WO2020129532 - 半導体記憶装置、及びニューラルネットワーク装置

公開番号 WO/2020/129532
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045605
国際出願日 21.11.2019
IPC
H01L 27/11507 2017.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
112リードオンリーメモリ構造
115電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ;そのための多段階製造工程
11502強誘電体メモリキャパシタを有するもの
11507メモリコア領域に特徴のあるもの
H01L 27/1159 2017.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
112リードオンリーメモリ構造
115電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ;そのための多段階製造工程
11585強誘電体メモリ特性のために用いる層を含むゲート電極を有するもの,例.金属-強誘電体-半導体または金属-強誘電体-金属-絶縁体-半導体[2017.01]
1159メモリコア領域に特徴のあるもの
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/788 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
788浮遊ゲートを有するもの
H01L 29/792 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
792電荷トラッピングゲート絶縁体,例.MNOSメモリトランジスタ,を有するもの
G06N 3/063 2006.01
G物理学
06計算;計数
N特定の計算モデルに基づくコンピュータ・システム
3生物学的モデルに基づくコンピュータシステム
02ニューラルネットワークモデルを用いるもの
06物理的な実現,すなわちニューラルネットワーク,ニューロンまたはニューロン構成要素のハードウェア実装
063電子的手段を用いるもの
出願人
  • ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 小林 俊之 KOBAYASHI, Toshiyuki
代理人
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
優先権情報
2018-23600118.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE, AND NEURAL NETWORK DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE RÉSEAU NEURONAL
(JA) 半導体記憶装置、及びニューラルネットワーク装置
要約
(EN)
A semiconductor storage device according to one embodiment of the present invention comprises a substrate; a first storage element that is formed on the substrate and includes a first insulation film; and a second storage element that is formed on the substrate and includes a second insulation film having a film thickness that is 0.5-2 times the film thickness of the first insulation film, the power consumption during writing of the second storage element differing from the power consumption during writing of the first storage element.
(FR)
Un dispositif de stockage à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention comprend un substrat ; un premier élément de stockage qui est formé sur le substrat et comprend un premier film isolant ; et un second élément de stockage qui est formé sur le substrat et comprend un second film isolant ayant une épaisseur de film qui est de 0,5 à 2 fois l'épaisseur de film du premier film isolant, la consommation d'énergie pendant l'écriture du second élément de stockage différant de la consommation d'énergie pendant l'écriture du premier élément de stockage.
(JA)
本開示の一実施の形態の半導体記憶装置は、基板と、基板に形成されるとともに第1の絶縁膜を含む第1の記憶素子と、基板に形成されるとともに第1の絶縁膜の膜厚の0.5倍以上2倍以下の膜厚を有する第2の絶縁膜を含み、第1の記憶素子とは書き込み時の消費電力が異なる第2の記憶素子とを備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報