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1. WO2020129508 - 積層体、成膜方法及び成膜装置

公開番号 WO/2020/129508
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/045034
国際出願日 18.11.2019
IPC
H01L 21/365 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
365固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/368 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
368液相成長を用いるもの
C23C 16/455 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
455ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
出願人
  • 信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 橋上 洋 HASHIGAMI Hiroshi
  • 渡部 武紀 WATABE Takenori
代理人
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio
  • 小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro
優先権情報
2018-23696019.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MULTILAYER BODY, FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS
(FR) CORPS MULTICOUCHE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM
(JA) 積層体、成膜方法及び成膜装置
要約
(EN)
The present invention is a multilayer body that comprises a crystal substrate and a semiconductor film, which is provided on a main surface of the crystal substrate and is mainly composed of an oxide semiconductor that contains a dopant and has a corundum structure. This multilayer body is configured such that: the concentration of Si contained in the oxide semiconductor is 5.0 × 1020 cm-3 or less; and the resistivity of the semiconductor film is 150 mΩ∙cm or less. Consequently, the present invention provides a multilayer body which comprises a semiconductor that has a corundum structure and a low resistivity, and which is suitable to semiconductor device applications.
(FR)
La présente invention est un corps multicouche qui comprend un substrat de cristal et un film semi-conducteur, qui est prévu sur une surface principale du substrat de cristal et est principalement composé d'un semi-conducteur à oxyde qui contient un dopant et a une structure de corindon. Ce corps multicouche est configuré de telle sorte que : la concentration en Si contenue dans le semi-conducteur à oxyde est de 5,0 × 1020 cm-3 ou moins ; et la résistivité du film semi-conducteur est de 150 mΩ∙cm ou moins. Par conséquent, la présente invention concerne un corps multicouche qui comprend un semi-conducteur qui a une structure de corindon et une faible résistivité, et qui est approprié pour des applications de dispositif à semi-conducteur.
(JA)
本発明は、結晶基板と該結晶基板の主表面上に設けられ、ドーパントを含有しコランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む半導体膜とを含む積層体であって、前記酸化物半導体に含まれるSi濃度が5.0×1020cm-3以下であり、前記半導体膜の抵抗率が150mΩ・cm以下である積層体である。これにより、半導体デバイス用途に適した低抵抗のコランダム構造を有する半導体を含む積層体が提供される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報