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1. WO2020129453 - ウェーハの平坦度の評価方法及び評価装置

公開番号 WO/2020/129453
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043793
国際出願日 08.11.2019
IPC
H01L 21/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
出願人
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 上野 淳一 UENO Junichi
  • 佐藤 三千登 SATO Michito
代理人
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio
  • 小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro
優先権情報
2018-23963621.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) WAFER FLATNESS EVALUATION METHOD AND EVALUATION DEVICE
(FR) MÉTHODE D'ÉVALUATION DE PLANÉITÉ DE TRANCHE ET DISPOSITIF D'ÉVALUATION
(JA) ウェーハの平坦度の評価方法及び評価装置
要約
(EN)
The present invention is a wafer flatness evaluation method having: a step for dividing, into a plurality of data grids, the surface of an evaluation-designated wafer for which the flatness is to be evaluated; a step for measuring the wafer shape within the data grids; and a step for calculating the flatness of the wafer on the basis of the measurement result, wherein, in the step for measuring the wafer shape within the data grids, the wafer shape is measured in the center region of the wafer in some of the data grids included in the center region and not measured in some of the data grids, and the measured data grids in an outer-periphery region on the outside of the center region are of a higher density than the density measured in the center region. This makes it possible to provide the wafer flatness evaluation method in which it is possible to perform high precision flatness measurement, and in which a decrease in measurement throughput is suppressed.
(FR)
La présente invention concerne un procédé d'évaluation de planéité de tranche comprenant : une étape consistant à diviser, en une pluralité de grilles de données, la surface d'une tranche désignée par évaluation pour laquelle la planéité doit être évaluée ; une étape consistant à mesurer la forme de la tranche à l'intérieur des grilles de données ; et une étape consistant à calculer la planéité de la tranche sur la base du résultat de mesure, dans l'étape pour mesurer la forme de tranche à l'intérieur des grilles de données, la forme de tranche est mesurée dans la région centrale de la tranche dans certaines des grilles de données incluses dans la région centrale et non mesurées dans certaines des grilles de données, et les grilles de données mesurées dans une région de périphérie externe sur l'extérieur de la région centrale sont d'une densité supérieure à la densité mesurée dans la région centrale. Ceci permet de fournir le procédé d'évaluation de planéité de tranche dans lequel il est possible d'effectuer une mesure de planéité de haute précision, et dans lequel une diminution du débit de mesure est empêchée.
(JA)
本発明は、平坦度を評価する評価対象のウェーハの表面を、複数のデータグリッドに区切るステップと、前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップと、該測定結果に基づいて、前記ウェーハの平坦度を算出するステップとを有するウェーハの平坦度の評価方法であって、前記データグリッド内のウェーハ形状を測定するステップにおいて、前記ウェーハの中央領域では、該中央領域に含まれる前記データグリッドのうち一部の前記データグリッドで測定するとともに、一部の前記データグリッドでは測定しないものとし、前記中央領域の外側の外周領域では、測定するデータグリッドを前記中央領域において測定する密度よりも高い密度とするウェーハの平坦度の評価方法である。これにより、高精度の平坦度測定を行うことができるとともに、測定スループット低下が抑制されたウェーハの平坦度の評価方法が提供される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報