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1. WO2020129439 - 検出装置

公開番号 WO/2020/129439
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043293
国際出願日 05.11.2019
IPC
H01L 31/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
出願人
  • 株式会社ジャパンディスプレイ JAPAN DISPLAY INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 多田 正浩 TADA, Masahiro
  • 内田 真 UCHIDA, Makoto
  • 中村 卓 NAKAMURA, Takashi
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-24030721.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DETECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION
(JA) 検出装置
要約
(EN)
This detection device has: an insulation substrate; a plurality of gate lines provided on the insulation substrate, and extending in a first direction; a plurality of signal lines provided on the insulation substrate, and extending in a second direction that intersects the first direction; a switching element connected to the plurality of gate lines and the plurality of signal lines; a first photoelectric conversion element that has a first semiconductor layer containing amorphous silicon, and that is connected to the switching element; and a second photoelectric conversion element that has a second semiconductor layer containing polysilicon, and that is connected to the switching element.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de détection comprenant : un substrat isolant ; une pluralité de lignes de grille disposées sur le substrat isolant, et s'étendant dans une première direction ; une pluralité de lignes de signal disposées sur le substrat isolant, et s'étendant dans une seconde direction qui croise la première direction ; un élément de commutation connecté à la pluralité de lignes de grille et à la pluralité de lignes de signal ; un premier élément de conversion photoélectrique qui a une première couche semi-conductrice contenant du silicium amorphe, et qui est connecté à l'élément de commutation ; et un second élément de conversion photoélectrique qui a une seconde couche semi-conductrice contenant du polysilicium, et qui est connecté à l'élément de commutation.
(JA)
検出装置は、絶縁基板と、絶縁基板に設けられ、第1方向に延在する複数のゲート線と、絶縁基板に設けられ、第1方向と交差する第2方向に延在する複数の信号線と、複数のゲート線及び複数の信号線に接続されたスイッチング素子と、アモルファスシリコンを含む第1半導体層を有し、スイッチング素子に接続される第1光電変換素子と、ポリシリコンを含む第2半導体層を有し、スイッチング素子に接続される第2光電変換素子と、を有する。
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