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1. WO2020129371 - 多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法

公開番号 WO/2020/129371
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/040040
国際出願日 10.10.2019
IPC
C30B 29/04 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02元素
04ダイヤモンド
出願人
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 古賀 祥泰 KOGA Yoshihiro
代理人
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
優先権情報
2018-23766519.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE DIAMOND FREE STANDING SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT AUTOPORTEUR EN DIAMANT POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法
要約
(EN)
Provided is a method for manufacturing a polycrystalline diamond free standing substrate with which it is possible to manufacture a polycrystalline diamond free standing substrate in which high quality compound semiconductor layers are stacked. A solution containing diamond particles is applied to a compound semiconductor substrate 10 and thereafter the compound semiconductor substrate 10 is subjected to thermal treatment to adhere the diamond particles 14 to the compound semiconductor substrate 10. A polycrystalline diamond layer 16 having a thickness of 100 μm or more is grown on the compound semiconductor substrate 10 by chemical vapor deposition with the diamond particles 14 as a nucleus. The compound semiconductor substrate 10 is then reduced in thickness to form a compound semiconductor layer 18. A polycrystalline diamond free standing substrate 100 in which the polycrystalline diamond layer 16 functions as a support substrate of the compound semiconductor layer 18 is obtained through these processes.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat autoporteur en diamant polycristallin avec lequel il est possible de fabriquer un substrat autoporteur en diamant polycristallin dans lequel des couches semi-conductrices composites de haute qualité sont empilées. Une solution contenant des particules de diamant est appliquée sur un substrat semi-conducteur composite 10, puis le substrat semi-conducteur composite 10 est soumis à un traitement thermique pour faire adhérer les particules de diamant 14 au substrat semi-conducteur composite 10. Une couche de diamant polycristallin 16 ayant une épaisseur de 100 µm ou plus est développée sur le substrat semi-conducteur composite 10 par dépôt chimique en phase vapeur avec les particules de diamant 14 en tant que noyau. Le substrat semi-conducteur composite 10 est ensuite réduit en épaisseur pour former une couche semi-conductrice composite 18. Un substrat autoporteur en diamant polycristallin 100 dans lequel la couche de diamant polycristallin 16 fonctionne en tant que substrat de support de la couche semi-conductrice composite 18 est obtenu par ces procédés.
(JA)
高品質な化合物半導体層が積層された多結晶ダイヤモンド自立基板を製造することが可能な、多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法を提供する。ダイヤモンド粒子を含有する溶液を化合物半導体基板10上に塗布し、その後、化合物半導体基板10に熱処理を施すことによって、化合物半導体基板10上にダイヤモンド粒子14を付着させる。ダイヤモンド粒子14を核として、化学気相成長法により、化合物半導体基板10上に厚さが100μm以上の多結晶ダイヤモンド層16を成長させる。その後、化合物半導体基板10を減厚して、化合物半導体層18とする。これらの工程を経て、多結晶ダイヤモンド層16が化合物半導体層18の支持基板として機能する多結晶ダイヤモンド自立基板100を得る。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報