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1. WO2020129330 - 単結晶シリコンインゴットの製造方法及びシリコン単結晶引上げ装置

公開番号 WO/2020/129330
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/035535
国際出願日 10.09.2019
IPC
C30B 29/06 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02元素
06シリコン
出願人
  • 株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 杉村 渉 SUGIMURA Wataru
  • 坂本 英城 SAKAMOTO Hideki
代理人
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
優先権情報
2018-23766319.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT AND SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN LINGOT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN ET DISPOSITIF DE TIRAGE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) 単結晶シリコンインゴットの製造方法及びシリコン単結晶引上げ装置
要約
(EN)
Provided is a method for manufacturing a single crystal silicon ingot that makes it possible to manufacture a single crystal silicon ingot having a low carbon concentration with a high yield. This method is characterized by, in a raw material melting step and a crystal growing step, sampling gas in a chamber, measuring intermittently the CO gas concentration in the sampled gas, multiplying the measured CO gas concentration by the flow rate of inert gas supplied into the chamber to calculate the CO gas generation rate, and monitoring the calculated CO gas generation rate.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un lingot de silicium monocristallin qui permet de fabriquer un lingot de silicium monocristallin ayant une faible concentration en carbone avec un rendement élevé. Ce procédé est caractérisé par, dans une étape de fusion de matière première et une étape de croissance de cristal, l'échantillonnage de gaz dans une chambre, la mesure par intermittence de la concentration en CO gazeux dans le gaz échantillonné, la multiplication de la concentration en CO gazeux mesurée par le débit de gaz inerte fourni dans la chambre pour calculer le taux de génération de CO gazeux, et la surveillance du taux de génération de CO gazeux calculé.
(JA)
カーボン濃度が低い単結晶シリコンインゴットを高い歩留まりで製造することが可能な単結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。本発明の単結晶シリコンインゴットの製造方法は、原料溶融工程及び結晶育成工程において、チャンバ内のガスを採取し、前記採取したガス中のCOガス濃度を間欠的に測定し、測定したCOガス濃度に、チャンバ内に供給する不活性ガスの流量を乗ずることにより、COガス発生レートを算出し、算出した前記COガス発生レートをモニターすることを特徴とする。
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