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1. WO2020129175 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/129175
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2018/046755
国際出願日 19.12.2018
IPC
H01L 29/78 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
12構成材料に特徴のあるもの
CPC
H01L 29/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
出願人
  • サンケン電気株式会社 SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 田中 雄季 TANAKA Yuki
  • 鹿内 洋志 SHIKAUCHI Hiroshi
  • 鷲谷 哲 WASHIYA Satoru
  • 熊倉 弘道 KUMAKURA Hiromichi
代理人
  • 三好 秀和 MIYOSHI Hidekazu
  • 高橋 俊一 TAKAHASHI Shunichi
  • 伊藤 正和 ITO Masakazu
  • 高松 俊雄 TAKAMATSU Toshio
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
Task #: 946 / Project: Abstracts JA-EN 199617 / Asset: pctjp2018046755-ttad-000001-en-ja.xml This semiconductor device comprises: a drift region (30) having an SJ structure that is placed on a semiconductor substrate (10), for which a first columnar region (31) of a first electrically conductive type and a second columnar region (32) of a second electrically conductive type are placed in alternating fashion; a base region (40) of the second electrically conductive type that is placed on the drift region (30); a source region (50) of the first electrically conductive type that is placed on the base region (40); and gate electrodes (80) placed inside grooves that pass through the source region (50) and the base region (40). The second columnar region (32) of the drift region (30) is formed with the recombination center density of holes and electrons higher in an upper region (32A) than in a lower region (32B).
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : une région de dérive (30) ayant une structure SJ qui est placée sur un substrat semi-conducteur (10), pour lequel une première région colonnaire (31) d'un premier type de conductivité électrique et une seconde région colonnaire (32) d'un second type de conductivité électrique sont disposées de manière alternée ; une région de base (40) du second type de conductivité électrique qui est placée sur la région de dérive (30) ; une région de source (50) du premier type de conductivité électrique qui est placée sur la région de base (40) ; et des électrodes de grille (80) placées à l'intérieur de rainures qui passent à travers la région de source (50) et la région de base (40). La seconde région colonnaire (32) de la région de dérive (30) est formée avec la densité centrale de recombinaison de trous et d'électrons plus haut dans une région supérieure (32A) que dans une région inférieure (32B).
(JA)
半導体装置は、半導体基板(10)上に配置された、第1導電型の第1柱状領域(31)と第2導電型の第2柱状領域(32)が交互に配置されたSJ構造のドリフト領域(30)と、ドリフト領域(30)の上に配置された第2導電型のベース領域(40)と、ベース領域(40)の上に配置された第1導電型のソース領域(50)と、ソース領域(50)及びベース領域(40)を貫通する溝の内部に配置されたゲート電極(80)を備える。ドリフト領域(30)の第2柱状領域(32)は、下部領域(32B)よりも上部領域(32A)において正孔と電子の再結合中心の密度が高く形成されている。
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