処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020128713 - 単極性トランジスタを用いて構成された論理回路、および、半導体装置

公開番号 WO/2020/128713
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/IB2019/060590
国際出願日 10.12.2019
IPC
H03K 19/00 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
19論理回路,すなわち,1出力に作用する少なくとも2入力を持つもの;反転回路
H03K 19/0175 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
19論理回路,すなわち,1出力に作用する少なくとも2入力を持つもの;反転回路
0175結合装置;インターフェイス装置
H03K 19/094 2006.01
H電気
03基本電子回路
Kパルス技術
19論理回路,すなわち,1出力に作用する少なくとも2入力を持つもの;反転回路
02特定の構成要素を用いるもの
08半導体装置を用いるもの
094電界効果トランジスタを用いるもの
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 井上広樹 INOUE, Hiroki
  • 上妻宗広 KOZUMA, Munehiro
  • 青木健 AOKI, Takeshi
  • 深井修次 FUKAI, Shuji
  • 赤澤史佳 AKASAWA, Fumika
  • 原田伸太郎 HARADA, Shintaro
  • 長尾祥 NAGAO, Sho
優先権情報
2018-23873520.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LOGIC CIRCUIT CONFIGURED USING UNIPOLAR TRANSISTORS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CIRCUIT LOGIQUE CONFIGURÉ AU MOYEN DE TRANSISTORS UNIPOLAIRES, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 単極性トランジスタを用いて構成された論理回路、および、半導体装置
要約
(EN)
A semiconductor device is provided which uses unipolar transistors and, without a steady-state current, uses a high power supply potential and a low power supply potential to represent a high level and a low level. This semiconductor device has a first through a fourth transistor, a first and a second capacitive element, a first and a second wiring, a first and a second input terminal, and an output terminal. One of the source and the drain of the fourth transistor is electrically connected to the first wiring, and the other thereof is electrically connected to one of the source and the drain of the second transistor, one terminal of the second capacitive element, and the gate of the third transistor. The gate of the fourth transistor is electrically connected to the first input terminal, one terminal of the first capacitive element, and the gate of the first transistor, and the gate of the second transistor is electrically connected to the second input terminal. One of the source and the drain of the fourth transistor is electrically connected to the first wiring, and the other thereof is electrically connected to one of the source and the drain of the second transistor, one terminal of the second capacitive element, and the gate of the third transistor. The other of the source and the drain of the second transistor, and the other of the source and the drain of the third transistor are electrically connected to the second wiring.
(FR)
L’invention concerne un dispositif semi-conducteur qui utilise des transistors unipolaires et, sans courant à l’état stable, utilise un potentiel d’alimentation électrique élevé et un potentiel d’alimentation électrique faible pour représenter un haut niveau et un bas niveau. Le dispositif semi-conducteur a d’un premier à un quatrième transistor, un premier et un deuxième élément capacitif, un premier et un deuxième câblage, une première et une deuxième borne d’entrée, et une borne de sortie. Une borne parmi la source et le drain du quatrième transistor est connectée électriquement au premier câblage, et l’autre de ces bornes est connectée électriquement à une borne parmi la source et le drain du deuxième transistor, une borne du deuxième élément capacitif, et la grille du troisième transistor. La grille du quatrième transistor est connectée électriquement à la première borne d’entrée, à une borne du premier élément capacitif, et à la grille du premier transistor, et la grille du deuxième transistor est connectée électriquement à la deuxième borne d’entrée. Une borne parmi la source et le drain du quatrième transistor est connectée électriquement au premier câblage, et l’autre de ces bornes est connectée électriquement à une borne parmi la source et le drain du deuxième transistor, une borne du deuxième élément capacitif, et la grille du troisième transistor. L’autre borne parmi la source et le drain du deuxième transistor, et l’autre borne parmi la source et le drain du troisième transistor sont connectées électriquement au deuxième câblage.
(JA)
単極性トランジスタを用いて、定常電流が流れず、高電源電位および低電源電位を用いてハイレベ ルまたはローレベルを表すことができる、半導体装置を提供する。 半導体装置は、第1乃至第4トランジスタと、第1および第2容量素子と、第1および第2配線と、 第1および第2入力端子と、出力端子とを有する。第4トランジスタのソースまたはドレインの一 方は、第1配線と電気的に接続され、他方は、第2トランジスタのソースまたはドレインの一方、 第2容量素子の一方の端子、および、第3トランジスタのゲートと電気的に接続される。第4トラ ンジスタのゲートは、第1入力端子、第1容量素子の一方の端子、および、第1トランジスタのゲ ートと電気的に接続され、第2トランジスタのゲートは、第2入力端子と電気的に接続される。第 1トランジスタのソースまたはドレインの一方は、第1配線と電気的に接続され、他方は、第1容 量素子の他方の端子、第2容量素子の他方の端子、第3トランジスタのソースまたはドレインの一 方、および、出力端子と電気的に接続される。第2トランジスタのソースまたはドレインの他方、 および、第3トランジスタのソースまたはドレインの他方は、第2配線と電気的に接続される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報