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1. WO2020128676 - 半導体装置、及びその動作方法、並びに電子機器

公開番号 WO/2020/128676
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/IB2019/059955
国際出願日 20.11.2019
IPC
G11C 11/405 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
11特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
21電気的素子を用いるもの
34半導体装置を用いるもの
40トランジスタを用いるもの
401リフレッシングまたは電荷再生,すなわちダイナミック・セル
403多数のメモリセルに共通な電荷再生,すなわち外部リフレッシュをもつもの
4051つのセル当り,3つの電荷転送ゲート,例.MOSトランジスタ,をもつもの
H01L 21/8242 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
8242ダイナミックランダムアクセスメモリ構造(DRAM)
H01L 27/108 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
108ダイナミックランダムアクセスメモリ構造
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
出願人
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 大貫達也 ONUKI, Tatsuya
  • 加藤清 KATO, Kiyoshi
  • 山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei
優先権情報
2018-23948621.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, OPERATION METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT ASSOCIÉ, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、及びその動作方法、並びに電子機器
要約
(EN)
The present invention provides a semiconductor device with a new structure. This semiconductor device includes: a first transistor in which one of the source and the drain is electrically connected to a first interconnect for reading data; a second transistor in which one of the source and the drain is electrically connected to the gate of the first transistor, and the other one of the source and the drain is electrically connected to a second interconnect for writing data; and a third transistor in which one of the source and the drain is electrically connected to the gate of the first transistor, and the other one of the source and the drain is electrically connected to a capacitor for holding a charge corresponding to the data, wherein the third transistor includes a metal oxide in a channel forming region.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comportant une nouvelle structure. Ce dispositif à semi-conducteur comprend : un premier transistor dans lequel un élément parmi la source et le drain est connecté électriquement à une première interconnexion pour lire des données ; un second transistor dans lequel un élément parmi la source et le drain est connecté électriquement à la grille du premier transistor, et l'autre élément parmi la source et le drain est connecté électriquement à une seconde interconnexion pour écrire des données ; et un troisième transistor dans lequel un élément parmi la source et le drain est connecté électriquement à la grille du premier transistor, et l'autre élément parmi la source et le drain est électriquement connecté à un condensateur pour contenir une charge correspondant aux données, le troisième transistor comprenant un oxyde métallique dans une région de formation de canal.
(JA)
新規な構成の半導体装置を提供すること。 半導体装置は、ソース又はドレインの一方が、データを読み出すための第1配線に電気的に接続さ れた第1トランジスタと、ソース又はドレインの一方が、第1トランジスタのゲートに電気的に接 続され、ソース又はドレインの他方がデータを書き込むための第2配線に電気的に接続された第2 トランジスタと、ソース又はドレインの一方が、第1トランジスタのゲートに電気的に接続され、 ソース又はドレインの他方がデータに応じた電荷を保持するためのキャパシタに電気的に接続され た第3トランジスタと、を有し、第3トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有する。
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