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1. WO2020122259 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

公開番号 WO/2020/122259
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/049420
国際出願日 17.12.2019
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人
  • 株式会社日立ハイテク HITACHI HIGH-TECH CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 松井 都 MATSUI Miyako
  • 桑原 謙一 KUWAHARA Kenichi
  • 臼井 建人 USUI Tatehito
  • 小林 浩之 KOBAYASHI Hiroyuki
代理人
  • ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.
優先権情報
PCT/JP2019/00381704.02.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA PROCESSING METHOD AND PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
要約
(EN)
A plasma processing method for plasma etching an etching film formed on a sample, said plasma processing method comprising: a protective film formation step in which a protective film is selectively formed on the top portion of a pattern formed on a sample, and the width of the formed protective film is adjusted so that the distribution of the width of the formed protective film attains a desired distribution within the sample surface; and a step in which plasma etching of the etching film is performed after the protective film formation step.
(FR)
Un procédé de traitement au plasma pour la gravure au plasma d'un film de gravure formé sur un échantillon, ledit procédé de traitement au plasma comprenant: une étape de formation de film protecteur dans laquelle un film protecteur est formé sélectivement sur la partie supérieure d'un motif formé sur un échantillon, et la largeur du film protecteur formé est ajustée de telle sorte que la distribution de la largeur du film protecteur formé atteint une distribution souhaitée à l'intérieur de la surface d'échantillon; et une étape dans laquelle une gravure au plasma du film de gravure est effectuée après l'étape de formation de film protecteur.
(JA)
試料に成膜された被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、試料に形成されたパターンの上部に保護膜を選択的に形成し、この形成された保護膜の幅の試料の面内における分布が所望の分布となるように形成された保護膜の幅を調整する保護膜形成工程と、保護膜形成工程後、被エッチング膜をプラズマエッチングする工程とを有するようにした。
他の公開
KR1020207009874
KRKR1020207009874
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