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1. WO2020122137 - III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

公開番号 WO/2020/122137
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/048537
国際出願日 11.12.2019
IPC
H01L 33/32 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
32窒素を含むもの
H01L 33/36 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36電極に特徴があるもの
出願人
  • DOWAエレクトロニクス株式会社 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 渡邉 康弘 WATANABE Yasuhiro
代理人
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
優先権情報
2018-23421614.12.2018JP
2019-22351611.12.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
要約
(EN)
The present invention provides: a group III nitride semiconductor light emitting element which has achieved a good balance between high luminous output and excellent reliability; and a method for producing this group III nitride semiconductor light emitting element. A group III nitride semiconductor light emitting element according to the present invention sequentially comprises, on a substrate, an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, a p-type AlGaN electron blocking layer, a p-type contact layer and a p-side reflective electrode; the luminescence center wavelength of the light emission from the light emitting layer is from 250 nm to 330 nm (inclusive); the Al composition ratio of the p-type AlGaN electron blocking layer is from 0.40 to 0.80 (inclusive); the film thickness of the p-type contact layer is from 10 nm to 50 nm (inclusive); and the p-type contact layer comprises a p-type AlGaN contact layer which has an Al composition ratio of from 0.03 to 0.25 (inclusive).
(FR)
L'invention concerne : un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure du groupe III qui à atteint un bon équilibre entre une sortie lumineuse élevée et une excellente fiabilité ; et un procédé de production dudit élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure du groupe III. Un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure du groupe III selon la présente invention comprend séquentiellement, sur un substrat, une couche semi-conductrice de type n, une couche électroluminescente, une couche de blocage d'électrons d'AlGaN de type p, une couche de contact de type p et une électrode réfléchissante côté p ; la longueur d'onde centrale de luminescence de l'émission de lumière à partir de la couche électroluminescente est de 250 nm à 330 nm (inclus) ; le rapport de composition d'Al de la couche de blocage d'électrons d'AlGaN de type p est de 0,40 à 0,80 (inclus) ; l'épaisseur de film de la couche de contact de type p est de 10 nm à 50 nm (inclus) ; et la couche de contact de type p comprend une couche de contact d'AlGaN de type p qui a un rapport de composition d'Al de 0,03 à 0,25 (inclus).
(JA)
高い発光出力及び優れた信頼性を両立したIII族窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 本発明に従うIII族窒化物半導体発光素子は、基板上に、n型半導体層、発光層、p型AlGaN電子ブロック層、p型コンタクト層及びp側反射電極を順次備え、前記発光層からの発光の発光中心波長が250nm以上330nm以下であり、前記p型AlGaN電子ブロック層のAl組成比は0.40以上0.80以下であり、前記p型コンタクト層の膜厚は10nm以上50nm以下であり、かつ、該p型コンタクト層は、Al組成比が0.03以上0.25以下であるp型AlGaNコンタクト層を有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報