処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020122075 - ハロゲン化銅と金属のハロゲン化物及び/又はハロゲン化アンモニウム塩類とを含む結晶化物、結晶性薄膜、それらの前駆体溶液、並びに結晶性薄膜の製造方法

公開番号 WO/2020/122075
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/048340
国際出願日 10.12.2019
IPC
C01G 3/00 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
GサブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
3銅化合物
C01G 3/04 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
GサブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
3銅化合物
04ハロゲン化物
C01G 9/00 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
GサブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
9亜鉛化合物
出願人
  • 国立大学法人山形大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION YAMAGATA UNIVERSITY [JP]/[JP]
発明者
  • 栗原 正人 KURIHARA, Masato
  • 石▲崎▼ 学 ISHIZAKI, Manabu
代理人
  • 小川 護晃 OGAWA, Moriaki
  • 奥山 尚一 OKUYAMA, Shoichi
  • 松島 鉄男 MATSUSHIMA, Tetsuo
  • 中村 綾子 NAKAMURA, Ayako
  • 森本 聡二 MORIMOTO, Toshiji
  • 有原 幸一 ARIHARA, Koichi
  • 西山 春之 NISHIYAMA, Haruyuki
優先権情報
2018-23293612.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CRYSTAL CONTAINING COPPER HALIDE, AND METAL HALIDE AND/OR AMMONIUM HALIDE, CRYSTALLINE THIN-FILM, PRECURSOR SOLUTION THEREOF, AND METHOD FOR PRODUCING CRYSTALLINE THIN-FILM
(FR) CRISTAL CONTENANT UN HALOGÉNURE DE CUIVRE, ET UN HALOGÉNURE DE MÉTAL ET/OU UN HALOGÉNURE D'AMMONIUM, FILM MINCE CRISTALLIN, SOLUTION DE PRÉCURSEUR ASSOCIÉE, ET MÉTHODE DE PRODUCTION DE FILM MINCE CRISTALLIN
(JA) ハロゲン化銅と金属のハロゲン化物及び/又はハロゲン化アンモニウム塩類とを含む結晶化物、結晶性薄膜、それらの前駆体溶液、並びに結晶性薄膜の製造方法
要約
(EN)
The present invention provides a crystal which exhibits favorable conductivity, can be produced at a processing temperature which is lower than that of the prior art, and contains a copper halide and also contains a halide of a metal selected from the group consisting of alkali metals, magnesium and zinc and/or an ammonium halide. The present invention also provides a transparent crystalline thin-film, a precursor solution thereof, and a method for producing a crystalline thin-film. This crystalline thin-film contains a copper halide and also contains a halide of a metal selected from the group consisting of alkali metals, magnesium and zinc and/or an ammonium halide. The mole ratio of the copper halide to the metal halide and/or ammonium halide is in the range of 100:1 to 100:30.
(FR)
La présente invention concerne un cristal qui présente une conductivité favorable, qui peut être produit à une température de traitement qui est inférieure à celle de l'état actuel de la technique, et contient un halogénure de cuivre et contient également un halogénure d'un métal choisi dans le groupe constitué par les métaux alcalins, le magnésium et le zinc et/ou un halogénure d'ammonium. La présente invention concerne également un film mince cristallin transparent, une solution précurseur de celui-ci, et une méthode de production d'un film mince cristallin. Ce film mince cristallin contient un halogénure de cuivre et contient également un halogénure d'un métal choisi dans le groupe constitué par les métaux alcalins, le magnésium et le zinc et/ou un halogénure d'ammonium. Le rapport molaire de l'halogénure de cuivre à l'halogénure métallique et/ou à l'halogénure d'ammonium est dans la plage comprise entre 100:1 et 100:30.
(JA)
本発明は、従来よりも低い処理温度で製造でき、且つ良好な導電性を示す、ハロゲン化銅とアルカリ金属、マグネシウム及び亜鉛からなる群から選ばれる金属のハロゲン化物及び/又はハロゲン化アンモニウム塩類とを含む結晶化物、透明な結晶性薄膜、それらの前駆体溶液、並びに結晶性薄膜の製造方法を提供する。本発明に係る結晶性薄膜は、ハロゲン化銅と、アルカリ金属、マグネシウム及び亜鉛からなる群から選ばれる金属のハロゲン化物及び/又はハロゲン化アンモニウム塩類とを含み、前記ハロゲン化銅と前記金属のハロゲン化物及び/又はハロゲン化アンモニウム塩類とのモル比が、100:1~100:30の範囲である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報