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1. WO2020122032 - 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法

公開番号 WO/2020/122032
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/048162
国際出願日 09.12.2019
IPC
G02B 3/00 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
3単レンズまたは複合レンズ
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
出願人
  • 凸版印刷株式会社 TOPPAN PRINTING CO.,LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 高橋 聡 TAKAHASHI Satoshi
  • 原 昂大 HARA Takahiro
  • 井本 知宏 IMOTO Tomohiro
代理人
  • 廣瀬 一 HIROSE Hajime
  • 宮坂 徹 MIYASAKA Toru
優先権情報
2018-23329513.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
要約
(EN)
The present invention provides a solid-state imaging device, as well as a method for producing the same, which features improved light-collection efficiency even for smaller pixels and has high resolution and good sensitivity for all colors. The solid-state imaging device comprises: a semiconductor substrate; a plurality of photoelectric transducers provided on the semiconductor substrate and arranged in a matrix in plan view; a color filter layer in which multiple colors of color filters arranged corresponding to each of the plurality of photoelectric transducers are two-dimensionally arranged in a regular pattern set in advance; and microlenses formed from a plurality of stacked microlens layers each including multiple lenses arranged corresponding to each of the multiple colors of color filters and each of the plurality of photoelectric transducers. The film thickness of a first microlens layer closest to the photoelectric transducers among the plurality of microlens layers is between 150 nm and 400 nm, inclusive.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs, ainsi qu'un procédé de production de celui-ci, qui présente une efficacité de collecte de lumière améliorée même pour des pixels plus petits et possède une résolution élevée et une bonne sensibilité pour toutes les couleurs. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprend : un substrat semi-conducteur ; une pluralité de transducteurs photoélectriques disposés sur le substrat semi-conducteur et agencés dans une matrice en vue en plan ; une couche de filtre coloré dans laquelle de multiples couleurs de filtres colorés agencés en correspondance de chacun de la pluralité de transducteurs photoélectriques sont agencées de manière bidimensionnelle selon un motif régulier défini à l'avance ; et des microlentilles formées à partir d'une pluralité de couches de microlentilles empilées comprenant chacune de multiples lentilles agencées en correspondance de chacune des multiples couleurs de filtres colorés et de chacun de la pluralité de transducteurs photoélectriques. L'épaisseur de film d'une première couche de microlentilles la plus proche des transducteurs photoélectriques parmi la pluralité de couches de microlentilles est entre 150 nm et 400 nm inclus.
(JA)
微細画素でも集光効率を向上させ、全ての色で高精細で感度の良い固体撮像素子及び固体撮像素子製造方法を得る。固体撮像素子は、半導体基板と、半導体基板に設けられ、平面視でマトリクス状に配置された複数の光電変換素子と、複数の光電変換素子のそれぞれに対応させて配置された複数色の色フィルターが、予め設定した規則パターンで二次元的に配置された色フィルター層と、複数色の色フィルター及び複数の光電変換素子にそれぞれ対応させて配置された複数のレンズを有するマイクロレンズ層が複数積層して形成されたマイクロレンズと、を備える。複数のマイクロレンズ層のうち、光電変換素子に最も近接して配置された第1のマイクロレンズ層の膜厚は、150nm以上400nm以下である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報