処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020122005 - 弾性波装置

公開番号 WO/2020/122005
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/048053
国際出願日 09.12.2019
IPC
H03H 9/145 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
02細部
125駆動手段,例.電極,コイル
145弾性表面波を用いる回路網のためのもの
H03H 9/25 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 谷口 康政 TANIGUCHI, Yasumasa
  • 大門 克也 DAIMON, Katsuya
代理人
  • 特許業務法人北斗特許事務所 HOKUTO PATENT ATTORNEYS OFFICE
優先権情報
2018-23083610.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置
要約
(EN)
The present invention provides an elastic wave device that can reduce elastic wave energy loss. In this elastic wave device (1), an IDT electrode (5) is formed on a piezoelectric layer (4). A high sound speed member (2) is positioned sandwiching the piezoelectric layer (4) on the side opposite to the IDT electrode (5). In the high sound speed member (2), the sound speed of the propagated bulk wave is greater than the sound speed of the elastic wave that propagates through the piezoelectric layer (4). A low sound speed film (3) is provided between the high sound speed member (2) and the piezoelectric layer (4). In the low sound speed film (3), the sound speed of the propagated bulk wave is lower than the sound speed of the bulk wave that propagates through the piezoelectric layer (4). A dielectric film (6) is formed on the piezoelectric layer (4) to cover the IDT electrode (5). In the elastic wave device (1), the Young’s modulus of the dielectric film (6) is greater than the Young’s modulus of the low sound speed film (3).
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à ondes élastiques qui peut réduire la perte d'énergie des ondes élastiques. Dans ce dispositif à ondes élastiques (1), une électrode IDT (5) est formée sur une couche piézoélectrique (4). Un élément à grande vitesse de son (2) est positionné en sandwich de la couche piézoélectrique (4) sur le côté opposé à l'électrode IDT (5). Dans l'élément à grande vitesse de son (2), la vitesse de son de l'onde de volume propagée est supérieure à la vitesse de son de l'onde élastique qui se propage à travers la couche piézoélectrique (4). Un film à faible vitesse de son (3) est disposé entre l'élément à grande vitesse de son (2) et la couche piézoélectrique (4). Dans le film à faible vitesse de son (3), la vitesse de son de l'onde de volume propagée est inférieure à la vitesse de son de l'onde de volume qui se propage à travers la couche piézoélectrique (4). Un film diélectrique (6) est formé sur la couche piézoélectrique (4) pour recouvrir l'électrode IDT (5). Dans le dispositif à ondes élastiques (1), le module de Young du film diélectrique (6) est supérieur au module de Young du film à faible vitesse de son (3).
(JA)
弾性波エネルギーのロスを低減することができる弾性波装置を提供する。弾性波装置(1)では、IDT電極(5)は、圧電体層(4)上に形成されている。高音速部材(2)は、圧電体層(4)を挟んでIDT電極(5)とは反対側に位置している。高音速部材(2)では、圧電体層(4)を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜(3)は、高音速部材(2)と圧電体層(4)との間に設けられている。低音速膜(3)では、圧電体層(4)を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。誘電体膜(6)は、IDT電極(5)を覆うように圧電体層(4)上に形成されている。弾性波装置(1)では、誘電体膜(6)のヤング率が低音速膜(3)のヤング率よりも大きい。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報