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1. WO2020121976 - 弾性波装置

公開番号 WO/2020/121976
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047903
国際出願日 06.12.2019
IPC
H03H 9/25 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 木村 哲也 KIMURA, Tetsuya
  • 永友 翔 NAGATOMO, Shou
代理人
  • 特許業務法人北斗特許事務所 HOKUTO PATENT ATTORNEYS OFFICE
優先権情報
2018-23357513.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
(JA) 弾性波装置
要約
(EN)
Provided is an acoustic wave device with which it is possible to obtain good impedance characteristics even when the acoustic wave that propagates is mainly composed of longitudinal waves. The acoustic wave device (1) is provided with a support substrate (2), a piezoelectric layer (3), and an IDT electrode (4). The piezoelectric layer (3) is disposed on the support substrate (2) either directly or indirectly. The IDT electrode (4) includes a plurality of electrode fingers (41) and is disposed on a major surface (31) of the piezoelectric layer (3). The thickness of the piezoelectric layer (3) is not more than 1λ, where λ is the wavelength of acoustic wave determined by an electrode finger period of the IDT electrode (4). The support substrate (2) is an A-plane sapphire substrate.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques avec lequel il est possible d'obtenir de bonnes caractéristiques d'impédance même lorsque l'onde acoustique qui se propage est principalement composée d'ondes longitudinales. Le dispositif à ondes acoustiques (1) est pourvu d'un substrat de support (2), d'une couche piézoélectrique (3) et d'une électrode IDT (4). La couche piézoélectrique (3) est disposée sur le substrat de support (2) directement ou indirectement. L'électrode IDT (4) comprend une pluralité de doigts d'électrode (41) et est disposée sur une surface principale (31) de la couche piézoélectrique (3). L'épaisseur de la couche piézoélectrique (3) est inférieure ou égale à 1 λ, λ désignant la longueur d'onde d'une onde acoustique déterminée par la période d'un doigt d'électrode de l'électrode IDT (4). Le substrat de support (2) est un substrat de saphir à plan A.
(JA)
伝搬する弾性波の主成分が縦波であっても良好なインピーダンス特性を得ることができる弾性波装置を提供する。弾性波装置(1)は、支持基板(2)と、圧電体層(3)と、IDT電極(4)と、を備える。圧電体層(3)は、支持基板(2)上に直接又は間接的に設けられている。IDT電極(4)は、複数の電極指(41)を含み、圧電体層(3)の主面(31)に設けられている。圧電体層(3)の厚さが、IDT電極(4)の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとした場合に1λ以下である。支持基板(2)は、A面サファイア基板である。
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