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1. WO2020121950 - 構造体の製造方法と製造装置、および光照射装置

公開番号 WO/2020/121950
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047739
国際出願日 06.12.2019
IPC
H01L 21/306 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H01L 21/308 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308マスクを用いるもの
出願人
  • 株式会社サイオクス SCIOCS COMPANY LIMITED [JP]/[JP]
  • 住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 堀切 文正 HORIKIRI Fumimasa
  • 福原 昇 FUKUHARA Noboru
代理人
  • 福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro
  • 橘高 英郎 KITTAKA Hideo
優先権情報
2018-23099510.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING STRUCTURE, AND LIGHT IRRADIATION APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL PERMETTANT DE PRODUIRE UNE STRUCTURE ET APPAREIL D'ÉMISSION DE LUMIÈRE
(JA) 構造体の製造方法と製造装置、および光照射装置
要約
(EN)
Provided is a method for producing a structure, the method comprising a step of preparing a wafer that has at least a surface constituted of a group III nitride crystal and that is in a state immersed in an etching solution containing peroxodisulfate ion, and a step of irradiating the surface of the wafer with light through the etching solution. The group III nitride crystal has a composition for which the wavelength corresponding to the bandgap is greater than or equal to 310 nm. In the light irradiation step, the surface of the wafer is irradiated under a first irradiation condition with a first light having a wavelength of at least 200 nm and less than 310 nm, and is irradiated under a second irradiation condition which is regulated independently from the first irradiation condition with a second light having a wavelength of greater than or equal to 310 nm and less than the wavelength corresponding to the bandgap.
(FR)
La présente invention concerne un procédé permettant de produire une structure, le procédé comprenant une étape consistant à préparer une tranche qui comporte au moins une surface constituée d'un cristal de nitrure du groupe III et qui se trouve dans un état immergé dans une solution de gravure contenant un ion de peroxodisulfate, et une étape consistant à éclairer la surface de la tranche avec de la lumière à travers la solution de gravure. Le cristal de nitrure du groupe III présente une composition pour laquelle la longueur d'onde correspondant à la bande interdite est supérieure ou égale à 310 nm. Au cours de l'étape d'émission de lumière, la surface de la tranche est éclairée dans une première condition d'éclairage avec une première lumière ayant une longueur d'onde d'au moins 200 nm et inférieure à 310 nm, et est éclairée dans une seconde condition d'éclairage qui est régulée indépendamment de la première condition d'éclairage avec une seconde lumière ayant une longueur d'onde supérieure ou égale à 310 nm et inférieure à la longueur d'onde correspondant à la bande interdite.
(JA)
構造体の製造方法は、少なくとも表面がIII族窒化物結晶で構成されたウエハを、ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液中に浸漬された状態で用意する工程と、エッチング液を介して、ウエハの前記表面に、光を照射する工程と、を有し、III族窒化物結晶は、バンドギャップに対応する波長が310nm以上である組成を有し、光を照射する工程では、ウエハの前記表面に、波長が200nm以上310nm未満の第1の光を、第1の照射条件で照射するとともに、波長が310nm以上でバンドギャップに対応する波長未満の第2の光を、第1の照射条件とは独立して制御された第2の照射条件で照射する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報