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1. WO2020121895 - 熱処理方法および熱処理装置

公開番号 WO/2020/121895
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047236
国際出願日 03.12.2019
IPC
H01L 21/26 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
H01L 21/324 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
324半導体本体の性質を改変するための熱処理,例.アニーリング,シンタリング
H01L 21/677 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
677移送のためのもの,例.異なるワ―クステーション間での移送
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 伊藤 禎朗 ITO Yoshio
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
2018-23327213.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HEAT TREATMENT METHOD AND HEAT TREATMENT APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE ET APPAREIL DE TRAITEMENT THERMIQUE
(JA) 熱処理方法および熱処理装置
要約
(EN)
After the processing of a last semiconductor wafer of a preceding lot is completed, when a processing temperature of a subsequent lot is lower than that of the preceding lot and a stable temperature decreases, a dummy wafer is cooled down to room temperature or lower. The cooled dummy wafer is placed on a quartz susceptor inside a processing chamber and the temperature of the susceptor is lowered. The temperature of the susceptor can be quickly lowered to the stable temperature of the subsequent lot by repeatedly cooling the susceptor by a plurality of the dummy wafers.
(FR)
Selon la présente invention, après que le traitement d'une dernière plaquette de semi-conducteur d'un lot précédent est terminé, lorsqu'une température de traitement d'un lot suivant est inférieure à celle du lot précédent et qu'une température stable diminue, une plaquette factice est refroidie à une température inférieure ou égale à la température ambiante. La plaquette factice refroidie est placée sur un suscepteur en quartz à l'intérieur d'une chambre de traitement et la température du suscepteur est abaissée. La température du suscepteur peut être rapidement abaissée à la température stable du lot suivant par refroidissement répété du suscepteur par une pluralité de plaquettes factices.
(JA)
先行するロットの最後の半導体ウェハーの処理が完了した後、後続ロットの処理温度が先行ロットよりも低くて安定温度が低下する場合にはダミーウェハーを室温以下にまで冷却する。冷却されたダミーウェハーは処理チャンバー内の石英のサセプタに載置され、そのサセプタの温度を降温させる。複数枚のダミーウェハーによって繰り返しサセプタを冷却することにより、サセプタの温度を迅速に後続ロットの安定温度にまで降温させることができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報