処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020121886 - 基板液処理装置及び基板液処理方法

公開番号 WO/2020/121886
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047182
国際出願日 03.12.2019
IPC
C23C 18/31 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
18液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
16還元または置換によるもの,例.無電解メッキ
31金属による被覆
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 金子 聡 KANEKO Satoshi
  • 元松 一騎 MOTOMATSU Kazuki
代理人
  • 永井 浩之 NAGAI Hiroshi
  • 中村 行孝 NAKAMURA Yukitaka
  • 朝倉 悟 ASAKURA Satoru
  • 森 秀行 MORI Hideyuki
  • 村越 卓 MURAKOSHI Suguru
優先権情報
2018-23460314.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DEVICE FOR TREATING SUBSTRATE WITH SOLUTION, AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE WITH SOLUTION
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT À L'AIDE D'UNE SOLUTION, ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT À L'AIDE D'UNE SOLUTION
(JA) 基板液処理装置及び基板液処理方法
要約
(EN)
A device for treating a substrate with a solution comprises a substrate holding section for holding the substrate, a treatment solution feeding section for feeding a treatment solution to the upper surface of the substrate held by the substrate holding section, a lid body for covering the upper surface of the substrate held by the substrate holding section, and a gas feeding section for feeding an inert gas to a space between the substrate held by the substrate holding section and the lid body and provided with a gas feeding port through which the inert gas is to be ejected, wherein the direction of opening of the gas feeding port is angled to a direction other than the direction toward the upper surface of the substrate held by the substrate holding section.
(FR)
Dispositif pour traiter un substrat à l'aide d'une solution comprenant une section de maintien de substrat pour maintenir le substrat, une section d'alimentation en solution de traitement pour acheminer une solution de traitement à la surface supérieure du substrat maintenu par la section de maintien de substrat, un corps de couvercle pour recouvrir la surface supérieure du substrat maintenu par la section de maintien de substrat, et une section d'alimentation en gaz pour acheminer un gaz inerte dans un espace entre le substrat maintenu par la section de maintien de substrat et le corps de couvercle et pourvue d'un orifice d'alimentation en gaz par lequel le gaz inerte doit être éjecté, la direction d'ouverture de l'orifice d'alimentation en gaz étant inclinée vers une direction autre que la direction vers la surface supérieure du substrat maintenu par la section de maintien de substrat.
(JA)
基板液処理装置は、基板を保持する基板保持部と、基板保持部に保持されている基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、基板保持部に保持されている基板の上面を覆う蓋体と、基板保持部に保持されている基板と蓋体との間のスペースに不活性ガスを供給するガス供給部であって、不活性ガスを噴出するガス供給口を有するガス供給部と、を備え、ガス供給口の開口方向は、基板保持部に保持されている基板の上面以外に向けられている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報