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1. WO2020121873 - イオン液体を含むレジスト下層膜形成組成物

公開番号 WO/2020/121873
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/047054
国際出願日 02.12.2019
IPC
C08G 10/02 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
10アルデヒドまたはケトンの芳香族炭化水素またはハロゲン化芳香族炭化水素のみとの重縮合体
02アルデヒドの
G03F 7/11 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
09構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G03F 7/26 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
出願人
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 木村 哲也 KIMURA, Tetsuya
  • 西巻 裕和 NISHIMAKI, Hirokazu
  • 緒方 裕斗 OGATA, Hiroto
代理人
  • 特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE
優先権情報
2018-23169011.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION INCLUDING IONIC LIQUID
(FR) COMPOSITION FILMOGÈNE POUR SOUS-COUCHE DE RÉSERVE COMPRENANT UN LIQUIDE IONIQUE
(JA) イオン液体を含むレジスト下層膜形成組成物
要約
(EN)
[Problem] To provide a resist underlayer film forming composition wherein a heat reflow property can be increased and a pattern filling property can be improved by imparting low viscosity at high temperatures. [Solution] A resist underlayer film forming composition including at least one type of ionic liquid, a polymer, a crosslinking agent, a compound that promotes a crosslinking reaction, and an organic solvent. The ionic liquid has a crosslinking site. The ionic liquid is included in an amount that is 1.0mass% to 90mass% with regard to the mass of the polymer. The ionic liquid has the cationic structure shown in formula (6). [In formula (6), R21 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R11 and R12 each independently represent a hydrogen atom, a C1-20 alkyl group, a C1-20 haloalkyl group, a C2-10 alkenyl group, a C6-40 aryl group, a C7-15 aralkyl goup, a C1-20 alkoxy group, an alkoxyalkyl group, a heterocyclic group, a polyether group, a hydroxy group, a cyano group, a nitro group, a sulfo group, an amino group, a carboxy group, an acetyl group, a -Y-Z group, a halogen atom, or a combination of these. Y represents an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group, or an ester group, and Z represents a C1-20 alkyl group.]
(FR)
La présente invention vise à fournir une composition de formation de film de sous-couche de réserve dans laquelle une propriété de refusion thermique peut être augmentée et une propriété de remplissage de motif peut être améliorée par l'application d'une faible viscosité à des températures élevées. L'invention concerne par conséquent une composition filmogène pour sous-couche de réserve comprenant au moins un type de liquide ionique, un polymère, un agent de réticulation, un composé qui favorise une réaction de réticulation, et un solvant organique. Le liquide ionique a un site de réticulation. Le liquide ionique est inclus en une quantité qui est de 1,0 % en masse à 90 % en masse par rapport à la masse du polymère. Le liquide ionique a la structure cationique présentée dans la formule (6). [Dans la formule (6), R21 représente un atome d'hydrogène ou un groupe méthyle, et R11 and R12 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1-20, un groupe halogénoalkyle en C1-20, un groupe alcényle en C2-10, un groupe aryle en C6-40, un groupe aralkyle en C7-15, un groupe alcoxy en C1-20, un groupe alcoxyalkyle, un groupe hétérocyclique, un groupe polyéther, un groupe hydroxy, un groupe cyano, un groupe nitro, un groupe sulfo, un groupe amino, un groupe carboxy, un groupe acétyle, un groupe-Y-Z, un atome d'halogène ou une combinaison de ceux-ci. Y représente un atome d'oxygène, un atome de soufre, un groupe carbonyle, ou un groupe ester, et Z Représente un groupe alkyle en C1-20.]
(JA)
【課題】 高温時における低粘度性を付与させることで、熱リフロー性を高め、パターンへの充填性を向上させることができるレジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 少なくとも一種のイオン液体、ポリマー、架橋剤、架橋反応を促進させる化合物及び有機溶媒を含む、レジスト下層膜形成組成物。上記イオン液体が架橋部位を有する。上記イオン液体がポリマーの質量に対し1.0質量%乃至90質量%の量含まれる。上記イオン液体が下記式(6)で表されるカチオン構造を有する。 [式(6)中R21は、水素原子又はメチル基を示し、R11及びR12は、それぞれ独立して水素原子、炭素原子数1乃至20のアルキル基、炭素原子数1乃至20のハロアルキル基、炭素原子数2乃至10のアルケニル基、炭素原子数6乃至40のアリール基、炭素原子数7乃至15のアラルキル基、炭素原子数1乃至20のアルコキシ基、アルコキシアルキル基、複素環基、ポリエーテル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、アミノ基、カルボキシ基、アセチル基、-Y-Z基、ハロゲン原子、又はそれらの組み合わせを示す。Yは酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、又はエステル基を示し、Zは炭素原子数1乃至20のアルキル基を示す。]
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