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1. WO2020121857 - 光検出装置及び光検出装置の製造方法

公開番号 WO/2020/121857
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046907
国際出願日 29.11.2019
IPC
G01J 1/42 2006.01
G物理学
01測定;試験
J赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1測光,例.写真の露出計
42電気的な放射線検出器によるもの
G01J 1/44 2006.01
G物理学
01測定;試験
J赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1測光,例.写真の露出計
42電気的な放射線検出器によるもの
44電気回路
H01L 31/107 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
107電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 園部 弘典 SONOBE Hironori
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2018-23289512.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTODETECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PHOTODÉTECTEUR
(JA) 光検出装置及び光検出装置の製造方法
要約
(EN)
A photodetector 1 is provided with a semiconductor substrate 10. In the semiconductor substrate 10, as viewed from the orthogonal direction to the main surface 10a, an APD 11 and a temperature compensation diode 12 are formed apart from each other. The semiconductor substrate 10 has a peripheral carrier absorption part 13 that surrounds the APD 11, as viewed from the orthogonal direction to the main surface 10a, and absorbs a carrier positioned at the periphery. A portion of the peripheral carrier absorption part 13 is positioned between the APD 11 and the temperature compensation diode 12, as viewed from the orthogonal direction to the main surface 10a.
(FR)
La présente invention concerne un photodétecteur 1 qui est pourvu d’un substrat semi-conducteur 10. Dans le substrat semi-conducteur 10, observé depuis la direction orthogonale à la surface principale 10a, un APD 11 et une diode à compensation de température 12 sont formés à distance l’un de l’autre. Le substrat semi-conducteur 10 comporte une partie d’absorption de porteuse périphérique 13 qui entoure l’APD 11, observé depuis la direction orthogonale à la surface principale 10a, et absorbe une porteuse positionnée à la périphérie. Une partie de la partie d’absorption de porteuse périphérique 13 est positionnée entre l’APD 11 et la diode de compensation de température 12, observée depuis la direction orthogonale à la surface principale 10a.
(JA)
光検出装置1は、半導体基板10を備える。半導体基板10では、主面10aに直交する方向から見てAPD11と温度補償用ダイオード12とが互いに離間して形成されている。半導体基板10は、主面10aに直交する方向から見てAPD11を囲んでおり、かつ、周辺に位置するキャリアを吸収する周辺キャリア吸収部13を有する。周辺キャリア吸収部13の一部は、主面10aに直交する方向から見て、APD11と温度補償用ダイオード12との間に位置する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報