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1. WO2020121852 - 光検出装置

公開番号 WO/2020/121852
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046881
国際出願日 29.11.2019
IPC
G01J 1/02 2006.01
G物理学
01測定;試験
J赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1測光,例.写真の露出計
02細部
G01J 1/42 2006.01
G物理学
01測定;試験
J赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1測光,例.写真の露出計
42電気的な放射線検出器によるもの
G01J 1/44 2006.01
G物理学
01測定;試験
J赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1測光,例.写真の露出計
42電気的な放射線検出器によるもの
44電気回路
H01L 31/107 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
107電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 園部 弘典 SONOBE Hironori
  • 西尾 文孝 NISHIO Fumitaka
  • 村松 正典 MURAMATSU Masanori
  • 岡崎 勇治 OKAZAKI Yuji
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2018-23289212.12.2018JP
2018-23289512.12.2018JP
2019-11152914.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR
(JA) 光検出装置
要約
(EN)
A photodetector 1 comprises a semiconductor substrate, a plurality of pad electrodes 42, and a plurality of wires. The plurality of pad electrodes 42 is positioned on the semiconductor substrate 20. Each of the plurality of wires is connected to a corresponding pad electrode 42. A stitch bond of a corresponding wire is formed on each pad electrode 42. The distance T1 between each pad electrode 42 and a cell 22 corresponding to the pad electrode 42 is less than the distance T2 between pad electrodes 42 connected to different cells 22. The plurality of pad electrodes 42 is positioned in a first region R1 and a second region R2, which are separated from each other with a light-receiving region S therebetween. The pad electrodes 42 corresponding to cells 22a are positioned in the first region R1. The pad electrodes 42 corresponding to cells 22b are positioned in the second region R2.
(FR)
La présente invention concerne un photodétecteur (1) qui comprend un substrat semi-conducteur, une pluralité d'électrodes de pastille (42) et une pluralité de fils. La pluralité d'électrodes de pastille (42) est positionnée sur le substrat semi-conducteur (20). Chaque fil de la pluralité de fils est connecté à une électrode de pastille (42) correspondante. Une liaison par points d'un fil correspondant est formée sur chaque électrode de pastille (2). La distance (T1) entre chaque électrode de pastille (42) et une cellule (22) correspondant à l'électrode de pastille (42) est inférieure à la distance (T2) entre des électrodes de pastille (42) connectées à différentes cellules (22). La pluralité d'électrodes de pastille (42) est positionnée dans une première région (R1) et une seconde région (R2), qui sont séparées l'une de l'autre par une région de réception de lumière (S) entre elles. Les électrodes de pastille (42) correspondant aux cellules (22a) sont positionnées dans la première région (R1). Les électrodes de pastille (42) correspondant aux cellules (22b) sont positionnées dans la seconde région (R2).
(JA)
光検出装置1は、半導体基板と、複数のパッド電極42と、複数のワイヤとを備える。複数のパッド電極42は、半導体基板20に配置されている。複数のワイヤの各々は、対応するパッド電極42に接続されている。各パッド電極42には、対応するワイヤのスティッチボンドが形成されている。各パッド電極42と当該パッド電極42に対応するセル22との間の距離T1は、互いに異なるセル22に接続されたパッド電極42間の距離T2よりも小さい。複数のパッド電極42は、受光領域Sを挟んで互いに離間する第一領域R1と第二領域R2とに配置されている。セル22aに対応するパッド電極42は、第一領域R1に配置される。セル22bに対応するパッド電極42は、第二領域R2に配置されている。
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