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1. WO2020121851 - 光検出装置

公開番号 WO/2020/121851
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046880
国際出願日 29.11.2019
IPC
G01J 1/02 2006.01
G物理学
01測定;試験
J赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1測光,例.写真の露出計
02細部
G01J 1/42 2006.01
G物理学
01測定;試験
J赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1測光,例.写真の露出計
42電気的な放射線検出器によるもの
G01J 1/44 2006.01
G物理学
01測定;試験
J赤外線,可視光線または紫外線の強度,速度,スペクトル,偏光,位相またはパルスの測定;色の測定;放射温度測定
1測光,例.写真の露出計
42電気的な放射線検出器によるもの
44電気回路
H01L 31/107 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
107電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 園部 弘典 SONOBE Hironori
  • 西尾 文孝 NISHIO Fumitaka
  • 岡崎 勇治 OKAZAKI Yuji
  • 前北 和晃 MAEKITA Kazuaki
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2018-23289212.12.2018JP
2018-23289512.12.2018JP
2019-11152814.06.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT DETECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION OPTIQUE
(JA) 光検出装置
要約
(EN)
A light detection device 1 comprising a semiconductor substrate 20, a plurality of pad electrodes 42, and a plurality of wiring portions 43. The semiconductor substrate 20 has a first main surface and a second main surface that are opposite to each other. The semiconductor substrate 20 comprises a plurality of cells 22. Each of the plurality of cells 22 comprises at least one avalanche photodiode 23. The plurality of pad electrodes 42 are positioned at a distance from the plurality of cells 22 on the first main surface 20a. The plurality of wiring portions 43 are positioned on the first main surface 20a. The plurality of wiring portions 43 connect corresponding cells 22 and pad electrodes 42. The semiconductor substrate 20 comprises a peripheral carrier absorption portion 24 that absorbs carriers and is positioned at the periphery thereof. When viewed from a direction orthogonal to the first main surface 20a, the peripheral carrier absorption portion 24 is provided surrounding the pad electrodes 42 and the wiring portions 43.
(FR)
L'invention concerne un dispositif (1) de détection optique qui comporte: un substrat (20) à semi-conducteurs, plusieurs électrodes pastilles (42), et plusieurs parties câblages (43). Le substrat (20) à semi-conducteurs contient une première surface principale et une deuxième surface principale situées l'une en face de l'autre. Le substrat (20) à semi-conducteurs possède plusieurs cellules (22). Chaque cellule (22) contient au moins une photodiode à avalanche (23). Les électrodes pastilles (42) sont espacées des cellules (22) et situées sur la première surface principale (20a). Les parties câblages (43) sont situées sur la première surface principale (20a). Les parties câblages (43) relient des cellules (22) et des électrodes pastilles (42) situées face à face. Le substrat (20) à semi-conducteurs possède une partie (24) d'absorption de porteurs de charges périphériques destinée à absorber des porteurs de charges situés sur la périphérie. La partie (24) d'absorption de porteurs de charges périphériques, dans une vue en direction perpendiculaire par rapport à la première surface principale (20a), est située sur la circonférence de chaque électrode pastille (42) et de chaque partie câblage (43).
(JA)
光検出装置1は、半導体基板20と、複数のパッド電極42と、複数の配線部43とを備える。半導体基板20は、互いに対向する第一及び第二主面を含む。半導体基板20は、複数のセル22を有する。複数のセル22の各々は、少なくとも一つのアバランシェフォトダイオード23を含む。複数のパッド電極42は、複数のセル22から離間して第一主面20aに配置されている。複数の配線部43は、第一主面20aに配置されている。複数の配線部43は、互いに対応するセル22とパッド電極42とを接続する。半導体基板20は、周辺に位置するキャリアを吸収する周辺キャリア吸収部24を有する。周辺キャリア吸収部24は、第一主面20aに直交する方向から見て、各パッド電極42及び各配線部43の周囲に設けられている。
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