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1. WO2020121837 - 窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体基板

公開番号 WO/2020/121837
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046702
国際出願日 29.11.2019
IPC
C30B 29/38 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
C23C 16/01 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
01一時的な基板上に行うもの,例.エッチングによって結果的に除去されるような基板の上
C23C 16/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34窒化物
C30B 25/02 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人
  • 株式会社サイオクス SCIOCS COMPANY LIMITED [JP]/[JP]
  • 住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 吉田 丈洋 YOSHIDA Takehiro
代理人
  • 福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro
  • 橘高 英郎 KITTAKA Hideo
優先権情報
2018-23434514.12.2018JP
2019-06318428.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE, ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体基板
要約
(EN)
Provided is a method for manufacturing a nitride semiconductor substrate using a vapor deposition method, the method for manufacturing a nitride semiconductor substrate comprising: a step of preparing an underlying substrate which comprises a material that is different from a group III nitride semiconductor single crystal; a step of growing an underlying layer above the underlying substrate; a first step of epitaxially growing, directly on the underlying face of the underlying layer, a group III nitride semiconductor single crystal, which has a top face where a (0001) plane is exposed, generating on the top face a plurality of recesses composed of graded interfaces other than the (0001) plane, causing the graded interfaces to gradually expand upward from the underlying face of the underlying layer and eliminating the (0001) plane from the top face, thereby growing a first layer which has a surface composed only of the graded interfaces; and a second step of epitaxially growing the group III nitride semiconductor single crystal on the first layer and eliminating the graded interfaces, thereby growing a second layer that has a mirrored surface. In the first step, the single crystal is grown to a predetermined thickness with the (0001) plane as the growth face, after which the plurality of recesses is generated on the top face of the single crystal.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur au nitrure à l'aide d'un procédé de dépôt en phase vapeur, le procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur au nitrure comprenant : une étape de préparation d'un substrat sous-jacent qui comprend un matériau qui est différent d'un monocristal semi-conducteur au nitrure du groupe III ; une étape de croissance d'une couche sous-jacente au-dessus du substrat sous-jacent ; une première étape de croissance épitaxiale, directement sur la face sous-jacente de la couche sous-jacente, d'un monocristal semi-conducteur au nitrure du groupe III, qui a une face supérieure où un plan (0001) est exposé, générant sur la face supérieure une pluralité d'évidements composés d'interfaces graduées autres que le plan (0001), amenant les interfaces graduées à s'étendre progressivement vers le haut à partir de la face sous-jacente de la couche sous-jacente et à éliminer le plan (0001) à partir de la face supérieure, ce qui permet de faire croître une première couche qui a une surface composée uniquement des interfaces graduées ; et une seconde étape de croissance épitaxiale du monocristal semi-conducteur au nitrure du groupe III sur la première couche et d'élimination des interfaces graduées, ce qui permet de faire croître une seconde couche qui a une surface en miroir. Dans la première étape, le monocristal est amené à croître jusqu'à une épaisseur prédéterminée avec le plan (0001) comme face de croissance, après quoi la pluralité d'évidements est générée sur la face supérieure du monocristal.
(JA)
気相成長法を用いた窒化物半導体基板の製造方法であって、III族窒化物半導体の単結晶と異なる材料からなる下地基板を準備する工程と、下地基板の上方に下地層を成長させる工程と、(0001)面が露出した頂面を有するIII族窒化物半導体の単結晶を下地層の下地面上に直接的にエピタキシャル成長させ、(0001)面以外の傾斜界面で構成される複数の凹部を頂面に生じさせ、下地層の下地面の上方に行くにしたがって該傾斜界面を徐々に拡大させ、(0001)面を頂面から消失させ、表面が傾斜界面のみで構成される第1層を成長させる第1工程と、第1層上にIII族窒化物半導体の単結晶をエピタキシャル成長させ、傾斜界面を消失させ、鏡面化された表面を有する第2層を成長させる第2工程と、を有し、第1工程では、(0001)面を成長面として所定の厚さで単結晶を成長させた後に、該単結晶の頂面に複数の凹部を生じさせる。
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