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1. WO2020121827 - テラヘルツ装置およびテラヘルツ装置の製造方法

公開番号 WO/2020/121827
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046571
国際出願日 28.11.2019
IPC
H01L 23/14 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
14材料またはその電気特性に特徴のあるもの
H01L 23/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
H03B 7/08 2006.01
H電気
03基本電子回路
B振動の発生,直接のまたは周波数変換による振動の発生,スイッチング動作を行なわない能動素子を用いた回路による振動の発生;このような回路による雑音の発生
72つの電極間に負性抵抗をもつ能動素子を用いた振動の発生
02集中定数インダクタンスと集中定数キャパシタンスとからなる周波数決定素子を有するもの
06能動素子が半導体装置であるもの
08トンネルダイオードであるもの
出願人
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 鶴田 一魁 TSURUDA Kazuisao
  • ▲柳▼田 秀彰 YANAGIDA Hideaki
代理人
  • 吉田 稔 YOSHIDA Minoru
  • 臼井 尚 USUI Takashi
優先権情報
2018-23246312.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) TERAHERTZ DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING TERAHERTZ DEVICE
(FR) DISPOSITIF TÉRAHERTZ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF TÉRAHERTZ
(JA) テラヘルツ装置およびテラヘルツ装置の製造方法
要約
(EN)
This terahertz device A1 comprises a first resin layer 21, a columnar electroconductive body 31, a wiring layer 32, a terahertz element 11, a second resin layer 22, and an external electrode 40. The first resin layer 21 has a first resin layer main surface 211 and a first resin layer reverse surface 212. The columnar electroconductive body 31 has a first electroconductive body main surface 311 and a first electroconductive body reverse surface 312, the columnar electroconductive body 31 passing through the first resin layer 21 in a z direction. The wiring layer 32 straddles the first resin layer main surface 221 and the first electroconductive body main surface 311. The terahertz element 11 has an element main surface 111 and an element reverse surface 112, the terahertz element 11 performing conversion between terahertz waves and electrical energy. The second resin layer 22 has a second resin layer main surface 221 and a second resin layer reverse surface 222, the second resin layer 22 covering the wiring layer 32 and the terahertz element 11. The external electrode 40 is disposed farther in the direction in which the first resin layer reverse surface 222 faces than the first resin layer 32, the external electrode 40 forming an electrical connection with the columnar electroconductive body 31. The terahertz element 11 is conductively joined to the wiring layer 32.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif térahertz A1 qui comprend une première couche de résine 21, un corps électroconducteur en colonne 31, une couche de câblage 32, un élément térahertz 11, une seconde couche de résine 22, et une électrode externe 40. La première couche de résine 21 présente une première surface principale de couche de résine 211 et une première surface inverse de couche de résine 212. Le corps électroconducteur en colonne 31 comprend une première surface principale de corps électroconducteur 311 et une première surface inverse de corps électroconducteur 312, le corps électroconducteur en colonne 31 passant à travers la première couche de résine 21 dans une direction z. La couche de câblage 32 chevauche la première surface principale de couche de résine 221 et la première surface principale de corps électroconducteur. L'élément térahertz 11 a une surface principale d'élément 111 et une surface inverse d'élément 112, l'élément térahertz 11 effectuant une conversion entre des ondes térahertz et de l'énergie électrique. La seconde couche de résine 22 a une seconde surface principale de couche de résine 221 et une seconde surface inverse de couche de résine 222, la seconde couche de résine 22 recouvrant la couche de câblage 32 et l'élément térahertz 11. L'électrode externe 40 est disposée plus loin dans la direction dans laquelle la première surface inverse de la couche de résine 222 est tournée vers la première couche de résine 32, l'électrode externe 40 formant une connexion électrique avec le corps électroconducteur en colonne 31. L'élément térahertz 11 est relié de manière conductrice à la couche de câblage 32.
(JA)
テラヘルツ装置A1は、第1樹脂層21と、柱状導電体31と、配線層32と、テラヘルツ素子11と、第2樹脂層22と、外部電極40とを備える。第1樹脂層21は、第1樹脂層主面211および第1樹脂層裏面212を有する。柱状導電体31は、第1導電体主面311および第1導電体裏面312を有し、第1樹脂層21をz方向に貫通する。配線層32は、第1樹脂層主面221と第1導電体主面311とに跨る。テラヘルツ素子11は、素子主面111および素子裏面112を有し、テラヘルツ波と電気エネルギーとの変換を行う。第2樹脂層22は、第2樹脂層主面221および第2樹脂層裏面222を有し、配線層32およびテラヘルツ素子11を覆う。外部電極40は、第1樹脂層32よりも第1樹脂層裏面222が向く方向側に配置され、柱状導電体31に導通する。テラヘルツ素子11は、配線層32に導通接合されている。
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