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1. WO2020121819 - 基板処理装置及び基板処理方法

公開番号 WO/2020/121819
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046429
国際出願日 27.11.2019
IPC
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
C23C 16/515 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
50放電を用いるもの
515パルス放電を用いるもの
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 進藤 崇央 SHINDO, Takahiro
  • 松土 龍夫 MATSUDO, Tatsuo
  • 森田 靖 MORITA, Yasushi
  • 岡本 清一 OKAMOTO, Seiichi
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-23088210.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS
(JA) 基板処理装置及び基板処理方法
要約
(EN)
A substrate processing apparatus according to the present disclosure comprises: a processing vessel that can be evacuated so as to become a vacuum; a lower electrode; an upper electrode; and a power unit. A substrate to be processed can be placed upon the lower electrode. The upper electrode is disposed so as to face the lower electrode within the processing vessel. The power unit applies pulsed DC voltage to the upper electrode. Meanwhile, the substrate processing apparatus according to the present disclosure does not comprise a power unit for applying AC voltage to the upper electrode, a power unit for applying AC voltage to the lower electrode, or a power unit for applying DC voltage to the lower electrode.
(FR)
La présente invention concerne un appareil de traitement de substrats comprenant : un récipient de traitement qui peut être évacué de façon à devenir un dispositif de mise sous vide ; une électrode inférieure ; une électrode supérieure ; et une unité d'alimentation. Un substrat à traiter peut être disposé sur l'électrode inférieure. L'électrode supérieure est disposée de manière à faire face à l'électrode inférieure à l'intérieur du récipient de traitement. L'unité d'alimentation applique une tension continue pulsée à l'électrode supérieure. Par ailleurs, l'appareil de traitement de substrats selon la présente invention ne comprend pas d'unité d'alimentation pour appliquer une tension alternative à l'électrode supérieure, une unité d'alimentation pour appliquer une tension alternative à l'électrode inférieure, ou une unité d'alimentation pour appliquer une tension continue à l'électrode inférieure.
(JA)
本開示の基板処理装置は、真空排気可能な処理容器と、下部電極と、上部電極と、電源ユニットとを有する。下部電極には被処理基板を載置可能である。上部電極は、処理容器内で下部電極に対向して配置される。電源ユニットは、直流パルス電圧を上部電極に印加する。一方で、本開示の基板処理装置は、交流電圧を上部電極に印加する電源ユニット、交流電圧を下部電極に印加する電源ユニット、及び、直流電圧を下部電極に印加する電源ユニットを有しない。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報