処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020121796 - 圧電体およびそれを用いたMEMSデバイス

公開番号 WO/2020/121796
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046052
国際出願日 26.11.2019
IPC
B81B 3/00 2006.01
B処理操作;運輸
81マイクロ構造技術
Bマイクロ構造装置またはシステム,例.マイクロマシン装置
3可撓性の,または変形可能な要素,例.弾性のある舌片または薄膜,からなる装置
H01L 41/09 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08圧電または電歪素子
09電気的入力および機械的出力をもつもの
H01L 41/113 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08圧電または電歪素子
113機械的入力および電気的出力をもつもの
H01L 41/187 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16材料の選択
18圧電または電歪素子用
187セラミック組成物
出願人
  • 国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP]/[JP]
発明者
  • 上原 雅人 UEHARA Masato
  • 山田 浩志 YAMADA Hiroshi
  • 秋山 守人 AKIYAMA Morito
  • アンガライニ スリ アユ Anggraini Sri Ayu
  • 平田 研二 HIRATA Kenji
代理人
  • 高松 孝行 TAKAMATSU Takayuki
  • 鈴木 徳子 SUZUKI Tokuko
優先権情報
2018-23168111.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PIEZOELECTRIC BODY AND MEMS DEVICE USING SAME
(FR) CORPS PIÉZOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF MEMS L'UTILISANT
(JA) 圧電体およびそれを用いたMEMSデバイス
要約
(EN)
[Problem] To provide: a piezoelectric body of aluminum nitride to which ytterbium has been added, the piezoelectric body having a higher piezoelectric coefficient d33 or g33 than piezoelectric bodies of aluminum nitride to which ytterbium is not added; and a MEMS device using the piezoelectric body. [Solution] This piezoelectric body is represented by chemical formula Al1-xYbxN where x is more than 0 and less than 0.37, and has a lattice constant ratio c/a of 1.53 or more and less than 1.6. Such a piezoelectric body has a higher piezoelectric coefficient d33 or g33 than piezoelectric bodies of aluminum nitride to which ytterbium is not added.
(FR)
Le problème décrit par la présente invention est de fournir : un corps piézoélectrique de nitrure d'aluminium auquel de l'ytterbium a été ajouté, le corps piézoélectrique ayant un coefficient piézoélectrique d33 ou g33 supérieur à celui de corps piézoélectriques de nitrure d'aluminium auxquels de l'ytterbium n'est pas ajouté; et un dispositif MEMS utilisant le corps piézoélectrique. La solution selon l'invention porte sur un corps piézoélectrique qui est représenté par la formule chimique Al1-xYbxN où x est supérieur à 0 et inférieur à 0,37, et qui a un rapport de constante de réseau c/a supérieur ou égal à 1,53 et inférieur à 1,6. Un tel corps piézoélectrique a un coefficient piézoélectrique d33 ou g33 supérieur à celui de corps piézoélectriques de nitrure d'aluminium auxquels de l'ytterbium n'est pas ajouté.
(JA)
【課題】イッテルビウムが添加されていない窒化アルミニウムの圧電体よりも、高い圧電定数d33またはg33をするイッテルビウムが添加された窒化アルミニウムの圧電体と、その圧電体を用いたMEMSデバイスを提供する。 【解決手段】化学式Al1-xYbNで表され、xの値が0より大きく0.37より小さく、かつ格子定数比c/aが1.53以上で1.6より小さい範囲にある。このような圧電体は、イッテルビウムが添加されていない窒化アルミニウムの圧電体よりも、高い圧電定数d33またはg33を有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報