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1. WO2020121794 - 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法、並びに、窒化物系半導体結晶の製造方法

公開番号 WO/2020/121794
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/046030
国際出願日 25.11.2019
IPC
H01S 5/343 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
30活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ,多重量子井戸型レーザ,傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ[7]
343A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
C23C 16/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34窒化物
C23C 16/56 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
56後処理
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 33/32 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
32窒素を含むもの
出願人
  • パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社 PANASONIC SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 中澤 崇一 NAKAZAWA, Shuichi
  • 吉田 真治 YOSHIDA, Shinji
  • 木戸口 勲 KIDOGUCHI, Isao
代理人
  • 新居 広守 NII, Hiromori
  • 寺谷 英作 TERATANI, Eisaku
  • 道坂 伸一 MICHISAKA, Shinichi
優先権情報
2018-23199711.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法、並びに、窒化物系半導体結晶の製造方法
要約
(EN)
This method for manufacturing a nitride semiconductor light-emitting element involves a step (S10) in which an n-type nitride semiconductor layer is formed, a light-emitting layer comprising a nitride semiconductor is formed on the n-type nitride semiconductor layer, and, in an atmosphere containing hydrogen gas, a p-type nitride semiconductor layer is formed on the light-emitting layer while doping with a p-type dopant with a concentration of 2.0x1018atom/cm3, and a step (S16) in which the p-type nitride semiconductor layer is annealed in an atmosphere not containing hydrogen and at a temperature greater than or equal to 800°c, wherein the hydrogen concentration of the p-type nitride semiconductor layer after the annealing step is less than or equal to 5.0×1018atom/cm3, the concentration of the p-type dopant is less than or equal to 5%, and the hydrogen concentration of the light-emitting layer is less than or equal to 2.0×1017atom/cm3.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure comprenant une étape (S10) au cours de laquelle une couche semi-conductrice en nitrure de type n est formée, une couche électroluminescente comprenant un semi-conducteur en nitrure est formée sur la couche semi-conductrice en nitrure de type n, et, dans une atmosphère contenant de l'hydrogène gazeux, une couche semi-conductrice en nitrure de type p est formée sur la couche électroluminescente tout en étant dopée avec un dopant de type p avec une concentration de 2,0x1018atome/cm3, et une étape (S16) au cours de laquelle la couche semi-conductrice en nitrure de type p est recuite dans une atmosphère ne contenant pas d'hydrogène et à une température supérieure ou égale à 800 °C, la concentration en hydrogène de la couche semi-conductrice en nitrure de type p après l'étape de recuit étant inférieure ou égale à 5,0×1018atome/cm3, la concentration du dopant de type p étant inférieure ou égale à 5 %, et la concentration en hydrogène de la couche électroluminescente étant inférieure ou égale à 2,0×1017atome/cm3.
(JA)
窒化物系半導体発光素子の製造方法は、n型窒化物系半導体層を形成し、n型窒化物系半導体層上に、窒化物系半導体からなる発光層を形成し、発光層上に、水素ガスを含む雰囲気で、2.0×1018atom/cm以上の濃度でp型ドーパントをドーピングしながら、p型窒化物系半導体層を形成する工程(S10)と、水素を含まない雰囲気で、800℃以上の温度で、p型窒化物系半導体層をアニールする工程(S16)とを含み、アニールする工程後のp型窒化物系半導体層の水素濃度は、5.0×1018atom/cm以下であり、かつ、p型ドーパントの濃度の5%以下であり、発光層の水素濃度は、2.0×1017atom/cm以下である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報