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1. WO2020121724 - 固体撮像装置及び電子機器

公開番号 WO/2020/121724
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/044650
国際出願日 14.11.2019
IPC
H04N 9/07 2006.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
9カラーテレビジョン方式の細部
04画像信号発生装置
071つの撮像装置のみを有するもの
H04N 5/355 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
351シーン,例.シーンにおける動きまたは輝度,に依存した固体撮像素子の制御に特徴のあるもの
355ダイナミックレンジの制御
H04N 5/3745 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
CPC
H04N 5/355
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
351Control of the SSIS depending on the scene, e.g. brightness or motion in the scene
355Control of the dynamic range
H04N 5/3745
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
H04N 9/07
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
9Details of colour television systems
04Picture signal generators
07with one pick-up device only
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 飯田 聡子 IIDA, Satoko
  • 鈴木 敦史 SUZUKI, Atsushi
  • 坂野 頼人 SAKANO, Yorito
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-23200311.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET INSTRUMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置及び電子機器
要約
(EN)
The present invention suppresses a reduction in image quality. A solid-state imaging device according to an embodiment is equipped with: a plurality of first photoelectric conversion elements (101) provided with a first sensitivity; a plurality of second photoelectric conversion elements (102) provided with a second sensitivity which is lower than is the first sensitivity; a plurality of charge-storing regions (111, 113) for storing the electric charge produced in each of the plurality of second photoelectric conversion elements; a plurality of first color filters (121), one of which is provided on each of the light-receiving surfaces of the plurality of first photoelectric conversion elements; and a plurality of second color filters (122), one of which is provided on each of the light-receiving surfaces of the plurality of second photoelectric conversion elements. The second color filter provided on the light-receiving surface of the second photoelectric conversion element included in the charge-storing region nearest each of the plurality of first photoelectric conversion elements transmits the same wavelength component as does the first color filter provided on the light-receiving surface of the first photoelectric conversion element nearest said charge-storing region.
(FR)
La présente invention supprime une réduction de la qualité d'image. Un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs selon un mode de réalisation est équipé de : une pluralité de premiers éléments de conversion photoélectrique (101) pourvu d'une première sensibilité; une pluralité de seconds éléments de conversion photoélectrique (102) dotés d'une seconde sensibilité qui est inférieure à la première sensibilité; une pluralité de régions de stockage de charge (111, 113) pour stocker la charge électrique produite dans chacun de la pluralité de seconds éléments de conversion photoélectrique; une pluralité de premiers filtres de couleur (121), dont l'un est disposé sur chacune des surfaces de réception de lumière de la pluralité de premiers éléments de conversion photoélectrique; et une pluralité de seconds filtres de couleur (122), dont l'un est disposé sur chacune des surfaces de réception de lumière de la pluralité de seconds éléments de conversion photoélectrique. Le second filtre de couleur disposé sur la surface de réception de lumière du second élément de conversion photoélectrique inclus dans la région de stockage de charge la plus proche de chacun de la pluralité des premiers éléments de conversion photoélectrique transmet la même composante de longueur d'onde que le premier filtre de couleur disposé sur la surface de réception de lumière du premier élément de conversion photoélectrique la plus proche de ladite région de stockage de charge.
(JA)
画質の低下を抑制する。実施形態に係る固体撮像装置は、第1の感度を備える複数の第1光電変換素子(101)と、前記第1の感度よりも低い第2の感度を備える複数の第2光電変換素子(102)と、前記複数の第2光電変換素子それぞれで発生した電荷を蓄積する複数の電荷蓄積領域(111、113)と、前記複数の第1光電変換素子それぞれの受光面に対して一対一に設けられた複数の第1カラーフィルタ(121)と、前記複数の第2光電変換素子それぞれの受光面に対して一対一に設けられた複数の第2カラーフィルタ(122)とを備え、前記複数の第1光電変換素子それぞれにおいて最も近接する前記電荷蓄積領域に含まれる前記第2光電変換素子の前記受光面に対して設けられた前記第2カラーフィルタは、当該電荷蓄積領域に最も近接する前記第1光電変換素子の前記受光面に対して設けられた前記第1カラーフィルタと同一の波長成分を透過させる。
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