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1. WO2020121697 - ナノポア形成方法及び分析方法

公開番号 WO/2020/121697
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043577
国際出願日 07.11.2019
IPC
B01J 19/08 2006.01
B処理操作;運輸
01物理的または化学的方法または装置一般
J化学的または物理的方法,例.触媒またはコロイド化学;それらの関連装置
19化学的,物理的または物理化学的プロセス一般;それらに関連した装置
08電気または波動エネルギーあるいは粒子線放射を直接適用したプロセス;そのための装置
B82Y 35/00 2011.01
B処理操作;運輸
82ナノテクノロジー
Yナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理
35ナノ構造物の測定または分析のための方法または装置
B82Y 40/00 2011.01
B処理操作;運輸
82ナノテクノロジー
Yナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理
40ナノ構造物の製造または処理
G01N 27/00 2006.01
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
H01L 21/306 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
C12M 1/00 2006.01
C化学;冶金
12生化学;ビール;酒精;ぶどう酒;酢;微生物学;酵素学;突然変異または遺伝子工学
M酵素学または微生物学のための装置
1酵素学または微生物学のための装置
出願人
  • 株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 柳 至 YANAGI Itaru
代理人
  • 特許業務法人平木国際特許事務所 HIRAKI & ASSOCIATES
優先権情報
2018-23250112.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) NANOPORE FORMING METHOD AND ANALYSIS METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE NANOPORES ET PROCÉDÉ D'ANALYSE
(JA) ナノポア形成方法及び分析方法
要約
(EN)
Provided is a technology for stably forming nanopores of one kind by means of insulation breakdown in a membrane that has a high insulation breakdown voltage. A nanopore forming method according to the present disclosure comprises: a process for arranging an SiNx membrane between a first aqueous solution and a second aqueous solution; a process for bringing a first electrode into contact with the first aqueous solution and bringing a second electrode into contact with the second aqueous solution; and a process for applying a voltage to the first electrode and the second electrode. This nanopore forming method is characterized in that: the SiNx membrane has a composition ratio satisfying 1 < x < 4/3; and at least one of the first aqueous solution and the second aqueous solution has a pH of 10 or more.
(FR)
L'invention concerne une technologie permettant la formation de manière stable des nanopores d'un type au moyen d'une rupture d'isolation dans une membrane qui a une tension de claquage d'isolation élevée. Un procédé de formation de nanopores selon la présente invention comprend : un procédé d'agencement d'une membrane SiNx entre une première solution aqueuse et une seconde solution aqueuse; un procédé pour amener une première électrode en contact avec la première solution aqueuse et amener une seconde électrode en contact avec la seconde solution aqueuse; et un procédé pour appliquer une tension à la première électrode et à la seconde électrode. Ce procédé de formation de nanopore est caractérisé en ce que : la membrane SiNx a un rapport de composition satisfaisant 1 < x < 4/3; et au moins l'une de la première solution aqueuse et de la seconde solution aqueuse a un pH de 10 ou plus.
(JA)
絶縁破壊耐圧の高いメンブレンに対して、絶縁破壊により単一のナノポアを安定して形成する技術を提供する。本開示のナノポア形成方法は、第1の水溶液及び第2の水溶液間にSiNx膜を配置することと、第1の電極を前記第1の水溶液に接触させ、第2の電極を前記第2の水溶液に接触させることと、前記第1の電極及び前記第2の電極に電圧を印加することと、を含み、前記SiNx膜は、組成比が1<x<4/3であり、前記第1の水溶液及び前記第2の水溶液の少なくともいずれか一方は、pH10以上であることを特徴とする。
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