処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020121694 - 太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール

公開番号 WO/2020/121694
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043498
国際出願日 06.11.2019
IPC
H01L 31/0224 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02細部
0224電極
H01L 31/05 2014.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
042PVモジュールまたは1つ1つのPV素子のアレイ
05PVモジュール内のPV素子間の電気的相互接続手段,例.PV素子の直列接続
H01L 31/0747 2012.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
06少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(登録商標)の太陽電池とのヘテロ結合
出願人
  • 株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 寺下 徹 TERASHITA Toru
  • 中村 淳一 NAKAMURA Junichi
代理人
  • 新山 雄一 NIIYAMA Yuichi
  • 加藤 竜太 KATO Ryuta
優先権情報
2018-23294412.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLAR CELL DEVICE AND SOLAR CELL MODULE
(FR) DISPOSITIF À CELLULES SOLAIRES ET MODULE DE CELLULES SOLAIRES
(JA) 太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール
要約
(EN)
Provided is a solar cell device which can suppress decreases in series connection characteristics without providing an insulating member when using a shingling method to overlap a part of back-contact type solar cells and serially connect the same. The solar cell device 1 comprises a plurality of solar cells 2. A part of one main surface side at one end side of one solar cell 2 among neighboring solar cells underlaps a part of the other main surface side at the other end side of the other solar cell 2, each solar cell 2 being a back-contact type solar cell comprising a first conductivity-type semiconductor layer 25 and second conductivity-type semiconductor layer 35 that are formed on the other main surface side of a first conductivity-type semiconductor substrate 11. A part or all of a trunk pattern part 35b of the second conductivity-type semiconductor layer 35 is positioned in an overlapping region Ro at the other end side of the solar cell 2, and a branch pattern part 25f of the first conductivity-type semiconductor layer 25 is not positioned in the overlapping region Ro.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à cellules solaires qui peut supprimer des diminutions de caractéristiques de connexion en série sans fournir un élément isolant lors de l'utilisation d'un procédé de chevauchement pour chevaucher une partie de cellules solaires de type à contact arrière et les connecter en série. Le dispositif à cellules solaires 1 comprend une pluralité de cellules solaires 2. Une partie d'un côté de surface principale au niveau d'un côté d'extrémité d'une cellule solaire 2 parmi des cellules solaires voisines fait face à une partie de l'autre côté de surface principale au niveau de l'autre côté d'extrémité de l'autre cellule solaire 2, chaque cellule solaire 2 étant une cellule solaire de type à contact arrière comprenant une couche semi-conductrice de premier type de conductivité 25 et une couche semi-conductrice de second type de conductivité 35 qui sont formées sur l'autre côté de surface principale d'un substrat semi-conducteur de premier type de conductivité 11. Une partie ou la totalité d'une partie de motif de tronc 35b de la couche semi-conductrice de second type de conductivité 35 est positionnée dans une région de chevauchement Ro à l'autre côté d'extrémité de la cellule solaire 2, et une partie de motif de ramification 25f de la couche semi-conductrice de premier type de conductivité 25 n'est pas positionnée dans la région de chevauchement Ro.
(JA)
シングリング方式を用いて裏面接合型の太陽電池セルの一部同士を重ね合わせて直列接続する場合に、絶縁部材を設けることなく直列接続特性の低下を抑制できる太陽電池デバイスを提供する。太陽電池デバイス1は複数の太陽電池セル2を備える。隣り合う太陽電池セルのうちの一方の太陽電池セル2の一方端側の一方主面側の一部は、他方の太陽電池セル2の他方端側の他方主面側の一部の下に重なっており、太陽電池セル2は、第1導電型の半導体基板11の他方主面側に形成された第1導電型半導体層25と第2導電型半導体層35とを含む裏面接合型の太陽電池セルである。太陽電池セル2の他方端側における重ね合わせ領域Roには、第2導電型半導体層35の幹パターン部35bの一部または全部が配置され、かつ、第1導電型半導体層25の枝パターン部25fが配置されていない。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報