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1. WO2020121680 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/121680
公開日 18.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/042966
国際出願日 01.11.2019
IPC
H01L 23/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
H01L 23/36 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
34冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人
  • 富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 瀧澤 直樹 TAKIZAWA, Naoki
代理人
  • 青木 宏義 AOKI, Hiroyoshi
  • 天田 昌行 AMADA, Masayuki
  • 岡田 喜雅 OKADA, Yoshimasa
優先権情報
2018-23062310.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
The present invention is durable and also dissipates heat. A semiconductor device (1) that comprises an insulated circuit board (2), a heat sink (10), a semiconductor element (3), and a case (11). The insulated circuit board has an insulation plate (20), a first metal layer (21) that is formed on an upper surface of the insulation plate, and a second metal layer (22) that is formed on a lower surface of the insulation plate. The insulated circuit board is arranged on an upper surface of the heat sink. The semiconductor element is arranged on an upper surface of the first metal layer with a bonding material therebetween. The case surrounds the insulated circuit board and the semiconductor element. The first metal layer has circuit layers (23, 24, 25) and an annular layer (26). The circuit layers are electrically connected to the semiconductor element, and the annular layer surrounds the circuit layers at a gap therefrom. The second metal layer is arranged opposite the annular layer. A housing is fixed to the annular layer via an adhesive agent (B).
(FR)
La présente invention est durable et dissipe également de la chaleur. Un dispositif à semi-conducteur (1) comprend une carte de circuit isolée (2), un dissipateur thermique (10), un élément semi-conducteur (3), et un boîtier (11). La carte de circuit imprimé isolée a une plaque d'isolation (20), une première couche métallique (21) qui est formée sur une surface supérieure de la plaque d'isolation, et une seconde couche métallique (22) qui est formée sur une surface inférieure de la plaque d'isolation. La carte de circuit imprimé isolée est agencée sur une surface supérieure du dissipateur thermique. L'élément semi-conducteur est agencé sur une surface supérieure de la première couche métallique avec un matériau de liaison entre ceux-ci. Le boîtier entoure la carte de circuit isolée et l'élément semi-conducteur. La première couche métallique comporte des couches de circuit (23, 24, 25) et une couche annulaire (26). Les couches de circuit sont électriquement connectées à l'élément semi-conducteur, et la couche annulaire entoure les couches de circuit à une distance de celles-ci. La seconde couche métallique est agencée de façon opposée à la couche annulaire. Un logement est fixé à la couche annulaire par l'intermédiaire d'un agent adhésif (B).
(JA)
放熱性と耐久性とを両立すること。半導体装置(1)は、絶縁板(20)と、絶縁板の上面に形成される第1金属層(21)と、絶縁板の下面に形成される第2金属層(22)と、を有する絶縁回路基板(2)と、上面に絶縁回路基板が配置されるヒートシンク(10)と、第1金属層の上面に接合材を介して配置される半導体素子(3)と、絶縁回路基板及び半導体素子の周囲を囲うケース(11)と、を備える。第1金属層は、半導体素子と電気的に接続される回路層(23、24、25)と、回路層に対して隙間を空け回路層の周囲を囲うように形成される環状層(26)と、を有する。第2金属層は、環状層に対向する箇所に配置される。筐体部は、環状層に接着剤(B)を介して固定される。
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